RN2112CT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RN2112CT  📄📄 

Маркировка: UH

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: SOT883 CST3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для RN2112CT

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN2112CT даташит

 ..1. Size:134K  toshiba
 rn2112ct rn2113ct.pdf pdf_icon

RN2112CT

RN2112CT,RN2113CT TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN2112CT,RN2113CT Switching Applications Unit mm Inverter Circuit Applications 0.6 0.05 Interface Circuit Applications 0.5 0.03 Driver Circuit Applications Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts count enab

 8.1. Size:276K  toshiba
 rn2112f rn2113f.pdf pdf_icon

RN2112CT

RN2112F,RN2113F TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2112F,RN2113F Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit in mm With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1112F, RN1113F Equivalent Circuit Absolute Maximum Ratings (

 8.2. Size:94K  toshiba
 rn2112fs rn2113fs.pdf pdf_icon

RN2112CT

RN2112FS,RN2113FS TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN2112FS, RN2113FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit mm Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts count enables the manufacture of ever more compact equipment and lowe

 8.3. Size:290K  toshiba
 rn2112mfv rn2113mfv.pdf pdf_icon

RN2112CT

RN2112MFV,RN2113MFV TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2112MFV,RN2113MFV Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit mm 1.2 0.05 Ultra-small package, suited to very high density mounting 0.8 0.05 Incorporating a bias resistor into the transistor reduces the number of

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: RN2110, RN2111ACT, RN2111CT, RN2111FS, RN2111F, RN2111MFV, RN2111, RN2112ACT, A42, RN2112FS, RN2112MFV, RN2112, RN2113ACT, RN2113CT, RN2113FS, RN2113F, RN2113MFV