RN2114MFV - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

RN2114MFV - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RN2114MFV
   Маркировка: YQ.
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.9 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: SOT723 VESM

 Аналоги (замена) для RN2114MFV

 

RN2114MFV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:200K  toshiba
rn2114mfv rn2115mfv rn2116mfv rn2117mfv rn2118mfv.pdfpdf_icon

RN2114MFV

RN2114MFV RN2118MFV TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2114MFV,RN2115MFV,RN2116MFV RN2117MFV,RN2118MFV Unit mm Switching Applications Inverter Circuit Applications 1.2 0.05 0.8 0.05 Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications 1 Ultra-small package, suited to very high density mounting 2 3 Incorporating a bias resis

 8.1. Size:175K  toshiba
rn2114ft rn2118ft.pdfpdf_icon

RN2114MFV

RN2114FT RN2118FT TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2114FT, RN2115FT, RN2116FT, RN2117FT, RN2118FT Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit mm Built-in bias resistors Enabling simplified circuit design Enabling reduction in the quantity of parts and manufacturing process Complementary to the RN1114FT

 8.2. Size:179K  toshiba
rn2114f rn2118f.pdfpdf_icon

RN2114MFV

RN2114F RN2118F TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2114F,RN2115F,RN2116F,RN2117F,RN2118F Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Unit mm With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1114F RN1118F Equivalent Circuit and B

 8.3. Size:161K  toshiba
rn2114 rn2118.pdfpdf_icon

RN2114MFV

RN2114 RN2118 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2114, RN2115, RN2116, RN2117, RN2118 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit mm Built-in bias resistors Simplified circuit design Fewer parts and simplified manufacturing process Complementary to RN1107 RN1109 Equivalent Circuit and Bias Resistor V

Другие транзисторы... RN2112MFV , RN2112 , RN2113ACT , RN2113CT , RN2113FS , RN2113F , RN2113MFV , RN2113 , 2N2222 , RN2114 , RN2115F , RN2115MFV , RN2115 , RN2116FT , RN2116F , RN2116MFV , RN2116 .

 

 
Back to Top

 


 
.