RN2130MFV datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RN2130MFV  📄📄 

Маркировка: Y2.

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 100 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 100 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.9 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT723 VESM

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для RN2130MFV

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN2130MFV даташит

 ..1. Size:153K  toshiba
 rn2130mfv.pdf pdf_icon

RN2130MFV

RN2130MFV TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2130MFV Switching Applications Unit mm Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications 1.2 0.05 With built-in bias resistors 0.8 0.05 Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process 1

 8.1. Size:110K  1
 rn2130fv.pdf pdf_icon

RN2130MFV

RN2130FV TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2130FV Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit mm Built-in bias resistors 1.2 0.05 Simplified circuit design 0.8 0.05 Reduced quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1130FV 1 2 3 Equivalent Circuit 1.BASE VESM 2.EMIT

 9.1. Size:165K  toshiba
 rn2131mfv rn2132mfv.pdf pdf_icon

RN2130MFV

RN2131MFV,RN2132MFV TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2131MFV,RN2132MFV Unit mm Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications 1.2 0.05 Driver Circuit Applications 0.8 0.05 With built-in bias resistors 1 Simplify circuit design 2 3 Reduce a quantity of parts and manufacturing process Compl

Другие транзисторы: RN2117F, RN2117MFV, RN2117, RN2118FT, RN2118F, RN2118MFV, RN2118, RN2119MFV, BC557, RN2131MFV, RN2132MFV, RN2301, RN2302, RN2303, RN2304, RN2305, RN2306