RN2130MFV - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

RN2130MFV - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RN2130MFV
   Маркировка: Y2.
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 100 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 100 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.9 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT723 VESM

 Аналоги (замена) для RN2130MFV

 

RN2130MFV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:153K  toshiba
 rn2130mfv.pdf pdf_icon

RN2130MFV

RN2130MFV TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2130MFV Switching Applications Unit mm Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications 1.2 0.05 With built-in bias resistors 0.8 0.05 Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process 1

 8.1. Size:110K  1
 rn2130fv.pdf pdf_icon

RN2130MFV

RN2130FV TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2130FV Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit mm Built-in bias resistors 1.2 0.05 Simplified circuit design 0.8 0.05 Reduced quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1130FV 1 2 3 Equivalent Circuit 1.BASE VESM 2.EMIT

 9.1. Size:165K  toshiba
 rn2131mfv rn2132mfv.pdf pdf_icon

RN2130MFV

RN2131MFV,RN2132MFV TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2131MFV,RN2132MFV Unit mm Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications 1.2 0.05 Driver Circuit Applications 0.8 0.05 With built-in bias resistors 1 Simplify circuit design 2 3 Reduce a quantity of parts and manufacturing process Compl

Другие транзисторы... RN2117F , RN2117MFV , RN2117 , RN2118FT , RN2118F , RN2118MFV , RN2118 , RN2119MFV , BC557 , RN2131MFV , RN2132MFV , RN2301 , RN2302 , RN2303 , RN2304 , RN2305 , RN2306 .

History: 2SD1935 | MUN2230LT2 | RN1965CT | GT703D | IR413 | PMBT3906MB | 4SDG110K

 

 
Back to Top

 


 
.