Справочник транзисторов. RN2132MFV

 

Биполярный транзистор RN2132MFV - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: RN2132MFV
   Маркировка: Y4.
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 200 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.9 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT723 VESM

 Аналоги (замена) для RN2132MFV

 

 

RN2132MFV Datasheet (PDF)

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .