2SC6139 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC6139  📄📄 

Маркировка: C6139

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 140

Корпус транзистора: MSTM

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC6139

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC6139 даташит

 ..1. Size:185K  toshiba
 2sc6139.pdf pdf_icon

2SC6139

2SC6139 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6139 Audio Frequency Amplifier Applications Unit mm High collector voltage VCEO = 160 V (min) Small collector output capacitance Cob = 12pF (typ.) High transition frequency fT = 100MHz (typ.) Complementary to 2SA2219 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Co

 8.1. Size:144K  toshiba
 2sc6134.pdf pdf_icon

2SC6139

2CS6134 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6134 High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications 2.1 0.1 Strobe Applications 1.7 0.1 High DC current gain hFE = 250 to 400 (IC = 0.3A) 1 Low collector-emitter saturation voltage VCE (sat) = 0.14 V (max) 3 2 High-speed switching tf = 25 ns (typ.) Absolute Maximum Ratings (

 8.2. Size:191K  toshiba
 2sc6136.pdf pdf_icon

2SC6139

2SC6136 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SC6136 High Voltage Switching Applications Unit mm Switching Regulator Applications DC-DC Converter Applications High speed switching tf = 0.18 s (typ.) (IC = 0.3 A) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 600 V Collector-emitter voltag

 8.3. Size:140K  toshiba
 2sc6133.pdf pdf_icon

2SC6139

2SC6133 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6133 High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications 2.1 0.1 1.7 0.1 High DC current gain hFE = 400 to 1000 (IC = 0.15A) 1 Low collector-emitter saturation voltage VCE (sat) = 0.12 V (max) 3 2 High-speed switching tf = 45 ns (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Char

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC6078, 2SC6079, 2SC6087, 2SC6124, 2SC6125, 2SC6126, 2SC6127, 2SC6136, 2SB817, 2SC6140, 2SC6142, TPC6501, TPC6502, TPC6503, TPC6504, TPC6601, TPC6602