Биполярный транзистор 2SC6139 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC6139
Маркировка: C6139
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 140
Корпус транзистора: MSTM
2SC6139 Datasheet (PDF)
2sc6139.pdf
2SC6139 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6139 Audio Frequency Amplifier Applications Unit: mm High collector voltage : VCEO = 160 V (min) Small collector output capacitance : Cob = 12pF (typ.) High transition frequency : fT = 100MHz (typ.) Complementary to 2SA2219 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCo
2sc6134.pdf
2CS6134 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6134 High-Speed Switching Applications Unit: mmDC-DC Converter Applications 2.10.1Strobe Applications 1.70.1 High DC current gain: hFE = 250 to 400 (IC = 0.3A) 1 Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.14 V (max) 32 High-speed switching: tf = 25 ns (typ.) Absolute Maximum Ratings (
2sc6136.pdf
2SC6136 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SC6136 High Voltage Switching Applications Unit: mm Switching Regulator Applications DC-DC Converter Applications High speed switching: tf = 0.18 s (typ.) (IC = 0.3 A) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 600 VCollector-emitter voltag
2sc6133.pdf
2SC6133 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6133 High-Speed Switching Applications Unit: mmDC-DC Converter Applications 2.10.11.70.1 High DC current gain: hFE = 400 to 1000 (IC = 0.15A) 1 Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.12 V (max) 32 High-speed switching: tf = 45 ns (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Char
2sc6135.pdf
2SC6135 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6135 High-Speed Switching Applications Unit: mmDC-DC Converter Applications 2.10.1Strobe Applications 1.70.11 High DC current gain: hFE = 400 to 1000 (IC = 0.1A) Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.17 V (max) 32 High-speed switching: tf = 85 ns (typ.) Absolute Maximum Rating
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: BLY92C
History: BLY92C
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050