TPCP8507 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TPCP8507  📄📄 

Маркировка: 8507

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: PS8

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TPCP8507

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TPCP8507 даташит

 ..1. Size:171K  toshiba
 tpcp8507.pdf pdf_icon

TPCP8507

TPCP8507 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type TPCP8507 High-Speed Switching Applications Unit mm DC/DC Converters 0.33 0.05 0.05 M A 8 5 High DC current gain hFE = 120 300 (IC = 0.1 A) Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) = 0.14 V (max) High-speed switching tf = 0.2 s (typ.) 0.475 1 4 B 0.05 M B 0.65 2.9 0.1 Absolute Maximum

 7.1. Size:227K  toshiba
 tpcp8501.pdf pdf_icon

TPCP8507

TPCP8501 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type TPCP8501 Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications 0.33 0.05 0.05 M A 8 5 High DC current gain hFE = 100 to 300 (IC = 0.3 A) Low collector-emitter saturation VCE (sat) = 0.2 V (max) High-speed switching tf = 100 ns (typ.) 0.475 1 4 B 0.05 M B 0.65 Absolute Maximum Ratings (Ta =

 7.2. Size:210K  toshiba
 tpcp8505.pdf pdf_icon

TPCP8507

TPCP8505 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) TPCP8505 High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications 0.33 0.05 0.05 M A 8 5 High DC current gain hFE = 400 to 1000 (IC = 0.3 A) Low collector-emitter saturation VCE (sat) = 0.14 V (max) High-speed switching tf = 120 ns (typ.) 0.475 1 4 B 0.05 M B 0.65 Absolu

 7.3. Size:196K  toshiba
 tpcp8504.pdf pdf_icon

TPCP8507

TPCP8504 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type TPCP8504 High Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications 0.33 0.05 0.05 M A 5 8 High DC current gain hFE = 400 to 1000 (IC = 0.2 A) Low collector-emitter saturation VCE (sat) = 0.12 V (max) High-speed switching tf = 25 ns (typ.) 0.475 1 4 B 0.05 M B 0.65 2.9 0.1 A 0

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: TPC6602, TPC6603, TPC6604, TPC6701, TPC6D03, TPCP8501, TPCP8504, TPCP8505, BC556, TPCP8510, TPCP8511, TPCP8601, TPCP8602, TPCP8603, TPCP8604, TPCP8701, TPCP8901