MT3S22P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MT3S22P  📄📄 

Маркировка: T5

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 12 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 6 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.08 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8500 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: PW-MINI

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MT3S22P

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MT3S22P даташит

 ..1. Size:189K  toshiba
mt3s22p.pdfpdf_icon

MT3S22P

MT3S22P TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT3S22P VHF-UHF Band Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications Unit mm FEATURES Low Noise Figure NF=1.5dB(Typ.) (@f=1GHz) High Gain S21e 2=10.5dB(Typ.) (@f=1GHz) Marking T 5 PW-Mini JEDEC - JEITA SC-62 TOSHIBA 2-5K1A Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Weight 0.05 g (Typ.) Characterist

 9.1. Size:169K  toshiba
mt3s21p.pdfpdf_icon

MT3S22P

MT3S21P TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT3S21P VHF-UHF Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Application Unit mm FEATURES Low-Noise Figure NF=1.55 dB (typ.) (@f=1 GHz) High Gain S21e 2=11 dB (typ.) (@f=1 GHz) Marking T 2 PW-Mini JEDEC - JEITA SC-62 TOSHIBA 2-5K1A Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Weight 0.05 g (Typ.) Characterist

 9.2. Size:178K  toshiba
mt3s20p.pdfpdf_icon

MT3S22P

MT3S20P TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT3S20P VHF-UHF Band Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications Unit mm FEATURES Low Noise Figure NF=1.45dB(Typ.) (@f=1GHz) High Gain S21e 2=11dB(Typ.) (@f=1GHz) Marking M U PW-Mini JEDEC - JEITA SC-62 TOSHIBA 2-5K1A Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Weight 0.05 g (Typ.) Characteristi

 9.3. Size:182K  toshiba
mt3s20r.pdfpdf_icon

MT3S22P

MT3S20R TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT3S20R VHF-UHF Band Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications Unit mm +0.08 0.42 +0.08 -0.05 0.17 0.05 M A -0.07 FEATURES 3 Low Noise Figure NF=1.45dB(Typ.) (@ f=1GHz) High Gain S21e 2=12dB(Typ.) (@ f=1GHz) 1 2 0.95 0.95 2.9 0.2 A Marking 3 1. Base 2. Emitter 3. Collec

Другие транзисторы: MT3S16U, MT3S19, MT3S19R, MT3S19TU, MT3S20P, MT3S20R, MT3S20TU, MT3S21P, A940, MT3S35FS, MT3S37FS, MT3S41FS, MT4S03A, MT4S03AU, MT4S03BU, MT4S06U, MT4S23U