2N584 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N584  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.12 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 14 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO1

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N584

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N584 даташит

 ..1. Size:298K  rca
 2n583 2n584 2n640 2n641 2n642 2n643 2n644 2n645 2n656 2n696.pdf pdf_icon

2N584

 0.1. Size:108K  jmnic
 2n5838 2n5839 2n5840.pdf pdf_icon

2N584

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2N5838 2N5839 2N5840 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector-emitter saturation voltage APPLICATIONS For use in switching power supply applications and other inductive switching circuits. PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter 3 Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Absolute max

 0.2. Size:117K  inchange semiconductor
 2n5838 2n5839 2n5840.pdf pdf_icon

2N584

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N5838 2N5839 2N5840 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector saturation voltage High breakdown voltage APPLICATIONS For use in switching power supply and other inductive switching circuits. PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collecto

Другие транзисторы: 2N5833, 2N5834, 2N5835, 2N5836, 2N5837, 2N5838, 2N5839, 2N583A, BD140, 2N5840, 2N5841, 2N5842, 2N5843, 2N5844, 2N5845, 2N5845A, 2N5846