DTC114YEB datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DTC114YEB  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 40 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68

Корпус транзистора: SC-89 EMT3F SOT416FL

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для DTC114YEB

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTC114YEB даташит

 ..1. Size:152K  rohm
dtc114yeb.pdfpdf_icon

DTC114YEB

100mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) DTC114YEB Applications Dimensions (Unit mm) Inverter, Interface, Driver EMT3F 1.6 0.7 0.26 Features (3) 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 2) The bias resistors consist of thin-film resistors (1) (2) 0

 6.1. Size:144K  motorola
dtc114yerev1.pdfpdf_icon

DTC114YEB

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by DTC114YE/D DTC114YE Preliminary Data Sheet Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor with 3 Monolithic Bias Resistor Network The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a 2 1 monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base emitter resis

 6.2. Size:94K  motorola
dtc114ye 69 sot416.pdfpdf_icon

DTC114YEB

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by DTC114YE/D DTC114YE Preliminary Data Sheet Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor with 3 Monolithic Bias Resistor Network The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a 2 1 monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base emitter resis

 6.3. Size:56K  motorola
pdtc114ye 3.pdfpdf_icon

DTC114YEB

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTC114YE NPN resistor-equipped transistor 1999 May 18 Product specification Supersedes data of 1998 May 19 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114YE FEATURES PINNING Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k and 47 k PIN DESCRIPTION respectively) 1 base/input Simplification

Другие транзисторы: DTC043ZUB, DTC044EEB, DTC044EM, DTC044EUB, DTC114EEB, DTC114EM, DTC114EUB, DTC114WE, BC337, DTC114YM, DTC114YUA, DTC114YUB, DTC115EEB, DTC115EM, DTC123EE, DTC123EM, DTC123JEB