Справочник транзисторов. 2SC3795B

 

Биполярный транзистор 2SC3795B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SC3795B
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1300 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO220F

 Аналоги (замена) для 2SC3795B

 

 

2SC3795B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  inchange semiconductor
2sc3795b.pdf

2SC3795B
2SC3795B

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3795BDESCRIPTION Collector-Base Breakdown Voltage-: V = 1000V(Min.)(BR)CBOLow Collector Saturation VoltageHigh Speed SwitchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high speed switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)aSYMBOL PARAMETER VALU

 7.1. Size:63K  panasonic
2sc3795.pdf

2SC3795B
2SC3795B

Power Transistors2SC3795, 2SC3795ASilicon NPN triple diffusion planar typeFor high breakdown voltage high-speed switchingFeaturesHigh-speed switchingUnit: mm High collector to base voltage VCBO10.0 0.2 4.2 0.2Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)5.5 0.2 2.7 0.2Full-pack package which can be installed to the heat sink withone screwAbsolute Maximum

 7.2. Size:211K  inchange semiconductor
2sc3795.pdf

2SC3795B
2SC3795B

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3795DESCRIPTION Collector-Base Breakdown Voltage-: V = 800V(Min.)(BR)CBOLow Collector Saturation VoltageHigh Speed SwitchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high speed switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

 7.3. Size:146K  inchange semiconductor
2sc3795 2sc3795a.pdf

2SC3795B
2SC3795B

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3795 2SC3795A DESCRIPTION With TO-220Fa package High breakdown voltage High speed switching Low collector saturation voltage APPLICATIONS For high breakdown voltate ,high-speed switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 CollectorFig.1 simplified outline (TO-220Fa) an

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

 

 
Back to Top