BU2725DX datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BU2725DX  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 3.8

Корпус транзистора: TO3PML

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BU2725DX

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU2725DX даташит

 ..1. Size:63K  philips
 bu2725dx 2.pdf pdf_icon

BU2725DX

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2725DX GENERAL DESCRIPTION High voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers. Designed to withstand VCES pulses up to 1700V. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNIT VCES

 ..2. Size:53K  philips
 bu2725dx 1.pdf pdf_icon

BU2725DX

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2725DX GENERAL DESCRIPTION High voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers. Designed to withstand VCES pulses up to 1700V. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNIT VCES

 ..3. Size:79K  inchange semiconductor
 bu2725dx.pdf pdf_icon

BU2725DX

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BU2725DX DESCRIPTION High Switching Speed High Voltage Built-in Ddamper Ddiode APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of color TV receivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCES Collector- Emitter Voltage(VBE= 0) 1700 V VEBO Em

 7.1. Size:52K  philips
 bu2725df 1.pdf pdf_icon

BU2725DX

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2725DF GENERAL DESCRIPTION High voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers. Designed to withstand VCES pulses up to 1700V. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNIT VCES

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BU2520DW, BU2525AW, BU2527DX, BU2708DF, BU2720AX, BU2720DF, BU2722AF, BU2725AX, A733, BU2727AF, BU2727AW, BU2727DF, BU508AW, BU508AX, BU508DW, BU508DX, BUF405AFP