Справочник транзисторов. BU2725DX

 

Биполярный транзистор BU2725DX Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BU2725DX
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 3.8
   Корпус транзистора: TO3PML
 

 Аналог (замена) для BU2725DX

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU2725DX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:63K  philips
 bu2725dx 2.pdf pdf_icon

BU2725DX

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2725DX GENERAL DESCRIPTIONHigh voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontaldeflection circuits of colour television receivers. Designed to withstand VCES pulses up to 1700V.QUICK REFERENCE DATASYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNITVCES

 ..2. Size:53K  philips
 bu2725dx 1.pdf pdf_icon

BU2725DX

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2725DX GENERAL DESCRIPTIONHigh voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontaldeflection circuits of colour television receivers. Designed to withstand VCES pulses up to 1700V.QUICK REFERENCE DATASYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNITVCES

 ..3. Size:79K  inchange semiconductor
 bu2725dx.pdf pdf_icon

BU2725DX

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BU2725DX DESCRIPTION High Switching Speed High Voltage Built-in Ddamper Ddiode APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of color TV receivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCES Collector- Emitter Voltage(VBE= 0) 1700 V VEBO Em

 7.1. Size:52K  philips
 bu2725df 1.pdf pdf_icon

BU2725DX

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2725DF GENERAL DESCRIPTIONHigh voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontaldeflection circuits of colour television receivers. Designed to withstand VCES pulses up to 1700V.QUICK REFERENCE DATASYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNITVCES

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... BU2520DW , BU2525AW , BU2527DX , BU2708DF , BU2720AX , BU2720DF , BU2722AF , BU2725AX , TIP31C , BU2727AF , BU2727AW , BU2727DF , BU508AW , BU508AX , BU508DW , BU508DX , BUF405AFP .

History: KSB744R

 

 
Back to Top

 


 
.