Справочник транзисторов. 2SD2413

 

Биполярный транзистор 2SD2413 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SD2413

Маркировка: 1S

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30

Корпус транзистора: SOT89

Аналоги (замена) для 2SD2413

 

 

2SD2413 Datasheet (PDF)

1.1. 2sd2413.pdf Size:37K _panasonic

2SD2413
2SD2413

Transistor 2SD2413 Silicon NPN triple diffusion planer type For low-frequency output amplification Unit: mm 1.5± 0.1 4.5± 0.1 1.6± 0.2 Features High collector to base voltage VCBO. High collector to emitter voltage VCEO. 45° Large collector power dissipation PC. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). 0.4± 0.08 Mini Power type package, allowing downsizing of th

1.2. 2sd2413 e.pdf Size:40K _panasonic

2SD2413
2SD2413

Transistor 2SD2413 Silicon NPN triple diffusion planer type For low-frequency output amplification Unit: mm 1.5± 0.1 4.5± 0.1 1.6± 0.2 Features High collector to base voltage VCBO. High collector to emitter voltage VCEO. 45° Large collector power dissipation PC. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). 0.4± 0.08 Mini Power type package, allowing downsizing of th

 1.3. 2sd2413.pdf Size:580K _htsemi

2SD2413
2SD2413

2SD2413 TRANSISOR (NPN) FEATURES High collector to base voltage VCBO SOT-89 High collector to emitter voltage VCEO Large collector power dissipation PC 1. BASE Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) 2. COLLECTOR 1 Marking:1S 2 MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) 3. EMITTER 3 Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Volta

1.4. 2sd2413.pdf Size:208K _lge

2SD2413
2SD2413

 2SD2413 SOT-89 Transistor(NPN) 1. BASE 2. COLLECTOR 1 SOT-89 2 4.6 B 4.4 3. EMITTER 1.6 3 1.8 1.4 1.4 2.6 Features 4.25 2.4 3.75 High collector to base voltage VCBO 0.8 MIN High collector to emitter voltage VCEO 0.53 0.40 0.48 0.44 2x) 0.13 B 0.35 Large collector power dissipation PC 0.37 1.5 3.0 Low collector to emitter saturation voltage VCE(

 1.5. 2sd2413.pdf Size:817K _kexin

2SD2413
2SD2413

SMD Type Transistors NPN Transistors 2SD2413 SOT-89 Unit:mm 1.70 0.1 ■ Features ● Collector Current Capability IC=100mA ● Collector Emitter Voltage VCEO=400V 0.42 0.1 0.46 0.1 1.Base 2.Collector 3.Emitter ■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃ Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 400 Collector - Emitter Voltage VCEO 400 V Emitter - Base Voltag

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top