KTX214E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KTX214E
Маркировка: BI
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50(12) V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1(0.5) A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 320(200) MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20(270)
Корпус транзистора: TES6
KTX214E Datasheet (PDF)
ktx214e.pdf
KTX214E SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES Including two devices in TES6. 1 6 DIM MILLIMETERS (Thin Extreme Super mini type with 6 leads.) _ A 1.6 + 0.05 _ A1 1.0 + 0.05 With Built-in bias resistors. 2 5 _ B 1.6 + 0.05 _ B1 1.2 + 0.05 Simplify circuit design. C
ktx214u.pdf
KTX214U SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES B1 Including two devices in US6. DIM MILLIMETERS 1 6 _ (Ultra Super mini type with 6 leads.) A 2.00 + 0.20 _ 2 5 A1 1.3 + 0.1 With Built-in bias resistors. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 Simplify circuit design. C 0
ktx213e.pdf
KTX213E SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP/NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES Including two devices in TES6. 1 6 DIM MILLIMETERS (Thin Extreme Super mini type with 6 leads.) _ A 1.6 + 0.05 _ A1 1.0 + 0.05 With Built-in bias resistors. 2 5 _ B 1.6 + 0.05 _ B1 1.2 + 0.05 Simplify circuit design.
ktx213u.pdf
KTX213U SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP/NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES B1 Including two devices in US6. DIM MILLIMETERS 1 6 _ (Ultra Super mini type with 6 leads.) A 2.00 + 0.20 _ 2 5 A1 1.3 + 0.1 With Built-in bias resistors. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 Simplify circuit design.
Другие транзисторы... KRX212U , KRX214U , KTX211E , KTX211U , KTX212E , KTX212U , KTX213E , KTX213U , MJE350 , KTX214U , KTX215U , KRC231M , KRC231S , KRC232M , KRC232S , KRC233M , KRC233S .
History: MRF654 | DCX114TU | 2SC386
History: MRF654 | DCX114TU | 2SC386
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sd330 replacement | a1273 transistor | 2sc1384 equivalent | 2sd786 | a940 transistor | 2sc1815 replacement | 2sc2383 | c3198 transistor












