Биполярный транзистор NZT560 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: NZT560
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT-223
NZT560 Datasheet (PDF)
nzt560.pdf
NZT560/NZT560ANPN Low Saturation Transistor4 These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 3A continuous.321SOT-2231. Base 2. Collector 3. EmitterAbsolute Maximum Ratings* TA=25C unless otherwise notedSymbol Parameter NZT560/NZT560A UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 60 VVCBO Collector-Base Voltage 80 V
nzt560 nzt560a.pdf
Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
nzt560-a.pdf
May 2009NZT560/NZT560ANPN Low Saturation TransistorFeatures2 These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 3A continuous.3211. Base 2. Collector 3. EmitterAbsolute Maximum Ratings* TA=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 60 VVCBO Collector-Base Voltage
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , BD777 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050