2N6388 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N6388  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N6388

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N6388 даташит

 ..1. Size:164K  motorola
2n6387 2n6388.pdfpdf_icon

2N6388

Order this document MOTOROLA by 2N6387/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA 2N6387 Plastic Medium-Power 2N6388* Silicon Transistors *Motorola Preferred Device . . . designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. DARLINGTON High DC Current Gain 8 AND 10 AMPERE hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc NPN SILICON Collector Emitter Sustaining Voltage

 ..2. Size:109K  st
2n6388.pdfpdf_icon

2N6388

2N6388 SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE NPN DARLINGTON HIGH CURRENT CAPABILITY INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE DESCRIPTION The device is a silicon Epitaxial-Base NPN power 3 2 transistor in monolithic Darlington configuration 1 mounted in Jedec TO-220 plastic package. It is inteded for use in low and mediu

 ..3. Size:158K  jmnic
2n6386 2n6387 2n6388.pdfpdf_icon

2N6388

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6386 2N6387 2N6388 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2N6666/6667/6668 DARLINGTON High DC current gain Low collector saturation voltage APPLICATIONS Designed for general-purpose amplifier and low speed switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to

 ..4. Size:121K  inchange semiconductor
2n6386 2n6387 2n6388.pdfpdf_icon

2N6388

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6386 2N6387 2N6388 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2N6666/6667/6668 DARLINGTON High DC current gain Low collector saturation voltage APPLICATIONS Designed for general-purpose amplifier and low speed switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collecto

Другие транзисторы: 2N6380, 2N6381, 2N6382, 2N6383, 2N6384, 2N6385, 2N6386, 2N6387, 2SD669A, 2N6389, 2N638A, 2N638B, 2N639, 2N6390, 2N6391, 2N6392, 2N6393