NJW0281G - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: NJW0281G
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 400 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 75
Корпус транзистора: TO3P
Аналоги (замена) для NJW0281G
NJW0281G - технические параметры
njw0281g njw0302g.pdf
NJW0281G (NPN) NJW0302G (PNP) Preferred Devices Complementary NPN-PNP Power Bipolar Transistors These complementary devices are lower power versions of the popular NJW3281G and NJW1302G audio output transistors. With http //onsemi.com superior gain linearity and safe operating area performance, these transistors are ideal for high fidelity audio amplifier output stages and 15 AMPERES
njw0281g.pdf
Silicon NPN transistor Power Amplifier Applications Complementary to NJW0302G High collector voltage VCEO=230V (min) Recommended for 100-W high-fidelity audio frequency amplifier Output stage Note1 Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in
njw0281g.pdf
NJW0281G Transistor SiliconNPNTripleDiffusedType NJW0281G Power Amplifier Applications ComplementarytoNJW0302G Highcollector voltage VCEO=230V (min) Recommendedfor 100-Whigh-fidelity audiofrequencyamplifier Output stage Note1 Usingcontinuouslyunder heavyloads (e.g. theapplication of hightemperature/current/voltageandthesignificant change intemperature, etc.) may causethis product
njw0281g.pdf
SPTECH Product Specification SPTECH Silicon NPN Power Transistor NJW0281G DESCRIPTION High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V =250V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Complement to Type NJW0302G APPLICATIONS Designed for high fidelity audio amplifier and other linear applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltag
Другие транзисторы... 2SC945P , C8050B , C8050C , C8050D , NE685M13 , S8050MB , S8050MC , S8050MD , 2SD313 , NJW0302G , 2SC5614 , 2SC5800 , 2SD2195 , 2SD2398 , 2SD2004 , 2SA1193K , 129NT1A-1 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
k3599 transistor datasheet | 2sc1735 | transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor | a1273 | c3421 transistor | c644 transistor | fgpf4536 datasheet






