NJW0281G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NJW0281G  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 400 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 75

Корпус транзистора: TO3P

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для NJW0281G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NJW0281G даташит

 ..1. Size:80K  onsemi
 njw0281g njw0302g.pdf pdf_icon

NJW0281G

NJW0281G (NPN) NJW0302G (PNP) Preferred Devices Complementary NPN-PNP Power Bipolar Transistors These complementary devices are lower power versions of the popular NJW3281G and NJW1302G audio output transistors. With http //onsemi.com superior gain linearity and safe operating area performance, these transistors are ideal for high fidelity audio amplifier output stages and 15 AMPERES

 ..2. Size:1360K  cn evvo
 njw0281g.pdf pdf_icon

NJW0281G

Silicon NPN transistor Power Amplifier Applications Complementary to NJW0302G High collector voltage VCEO=230V (min) Recommended for 100-W high-fidelity audio frequency amplifier Output stage Note1 Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in

 ..3. Size:1183K  cn minos
 njw0281g.pdf pdf_icon

NJW0281G

NJW0281G Transistor SiliconNPNTripleDiffusedType NJW0281G Power Amplifier Applications ComplementarytoNJW0302G Highcollector voltage VCEO=230V (min) Recommendedfor 100-Whigh-fidelity audiofrequencyamplifier Output stage Note1 Usingcontinuouslyunder heavyloads (e.g. theapplication of hightemperature/current/voltageandthesignificant change intemperature, etc.) may causethis product

 ..4. Size:338K  cn sptech
 njw0281g.pdf pdf_icon

NJW0281G

SPTECH Product Specification SPTECH Silicon NPN Power Transistor NJW0281G DESCRIPTION High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V =250V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Complement to Type NJW0302G APPLICATIONS Designed for high fidelity audio amplifier and other linear applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltag

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC945P, C8050B, C8050C, C8050D, NE685M13, S8050MB, S8050MC, S8050MD, 2SD313, NJW0302G, 2SC5614, 2SC5800, 2SD2195, 2SD2398, 2SD2004, 2SA1193K, 129NT1A-1