Справочник транзисторов. NJW0281G

 

Биполярный транзистор NJW0281G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NJW0281G
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 400 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 75
   Корпус транзистора: TO3P
 

 Аналог (замена) для NJW0281G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NJW0281G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:80K  onsemi
njw0281g njw0302g.pdfpdf_icon

NJW0281G

NJW0281G (NPN)NJW0302G (PNP)Preferred DevicesComplementary NPN-PNPPower Bipolar TransistorsThese complementary devices are lower power versions of thepopular NJW3281G and NJW1302G audio output transistors. Withhttp://onsemi.comsuperior gain linearity and safe operating area performance, thesetransistors are ideal for high fidelity audio amplifier output stages and15 AMPERES

 ..2. Size:1360K  cn evvo
njw0281g.pdfpdf_icon

NJW0281G

Silicon NPN transistorPower Amplifier ApplicationsComplementary to NJW0302GHigh collector voltage:VCEO=230V (min)Recommended for 100-W high-fidelity audio frequency amplifierOutput stageNote1: Using continuously under heavy loads (e.g. the application ofhigh temperature/current/voltage and the significant change intemperature, etc.) may cause this product to decrease in

 ..3. Size:1183K  cn minos
njw0281g.pdfpdf_icon

NJW0281G

NJW0281GTransistor SiliconNPNTripleDiffusedTypeNJW0281GPower Amplifier Applications ComplementarytoNJW0302G Highcollector voltage:VCEO=230V (min) Recommendedfor 100-Whigh-fidelity audiofrequencyamplifierOutput stageNote1: Usingcontinuouslyunder heavyloads (e.g. theapplicationof hightemperature/current/voltageandthesignificant changeintemperature, etc.) may causethis product

 ..4. Size:338K  cn sptech
njw0281g.pdfpdf_icon

NJW0281G

SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon NPN Power TransistorNJW0281GDESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V =250V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type NJW0302GAPPLICATIONSDesigned for high fidelity audio amplifier andother linear applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltag

Другие транзисторы... 2SC945P , C8050B , C8050C , C8050D , NE685M13 , S8050MB , S8050MC , S8050MD , BC558 , NJW0302G , 2SC5614 , 2SC5800 , 2SD2195 , 2SD2398 , 2SD2004 , 2SA1193K , 129NT1A-1 .

History: H2N5401 | KSH13005A

 

 
Back to Top

 


 
.