3DA76 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DA76  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 7.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.75 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DA76

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DA76 даташит

 ..1. Size:31K  shaanxi
 3da76 3da10a 3da96.pdf pdf_icon

3DA76

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DA76, 3DA10A, 3DA96 NPN Silicon High Frequency High Power Transistor Features 1. Excellent second breakdown capacity. Good characteristic frequency. 2. Amplification factor of small current is great. Good voltage resistance. 3. Implementation of standards QZJ840611. GJB33 A-97, QZJ840611A also for 3DA9

 ..2. Size:249K  inchange semiconductor
 3da76.pdf pdf_icon

3DA76

isc Silicon NPN Power Transistor 3DA76 DESCRIPTION High DC Current Gain- h = 15(Max) @I = 0.3A FE C Excellent Safe Operating Area Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as an output device in complementary audio amplifiers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector

Другие транзисторы: 3DA10G, 3DA100A, 3DA100B, 3DA100C, 3DA100D, 3DA100E, 3DA101, 3DA102, 9014, 3DA122, 3DA41, 3DA41A, 3DA41B, 3DA41C, 3DA450, 3DA458, 3DA4793