3DA76 - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 3DA76
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 7.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.75 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для 3DA76
3DA76 - технические параметры
3da76 3da10a 3da96.pdf
Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DA76, 3DA10A, 3DA96 NPN Silicon High Frequency High Power Transistor Features 1. Excellent second breakdown capacity. Good characteristic frequency. 2. Amplification factor of small current is great. Good voltage resistance. 3. Implementation of standards QZJ840611. GJB33 A-97, QZJ840611A also for 3DA9
3da76.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 3DA76 DESCRIPTION High DC Current Gain- h = 15(Max) @I = 0.3A FE C Excellent Safe Operating Area Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as an output device in complementary audio amplifiers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector
Другие транзисторы... 3DA10G , 3DA100A , 3DA100B , 3DA100C , 3DA100D , 3DA100E , 3DA101 , 3DA102 , 9014 , 3DA122 , 3DA41 , 3DA41A , 3DA41B , 3DA41C , 3DA450 , 3DA458 , 3DA4793 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1116 | 2n3565 equivalent | 10n60 | 2sc1061 | a1023 | d313 transistor | 2sa1302 | 2sd315


