2SD601LT1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD601LT1  📄📄 

Маркировка: L6

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.23 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 135

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD601LT1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD601LT1 даташит

 ..1. Size:123K  china
2sd601lt1.pdfpdf_icon

2SD601LT1

2SD601LT1 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR PRE-AMPLIFIER,LOW LEVEL&LOW NOISE Package SOT-23 * Collector Current Ic= 100mA * Collector-Emitter Voltage Vce= 45V * High Total Power Dissipation Pc=225mW * High Hfe And Good Linearity ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25 Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage Vcbo 50 V PIN 1 2 3 Collector-Emitter Voltage Vceo 45

 8.1. Size:43K  panasonic
2sd601a e.pdfpdf_icon

2SD601LT1

Transistor 2SD601A Silicon NPN epitaxial planer type For general amplification Unit mm Complementary to 2SB709A +0.2 2.8 0.3 +0.25 0.65 0.15 1.5 0.05 0.65 0.15 Features High foward current transfer ratio hFE. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). 1 Mini type package, allowing downsizing of the equipment and 3 automatic insertion through the tape packin

 8.2. Size:38K  panasonic
2sd601.pdfpdf_icon

2SD601LT1

Transistor 2SD601A Silicon NPN epitaxial planer type For general amplification Unit mm Complementary to 2SB709A +0.2 2.8 0.3 +0.25 0.65 0.15 1.5 0.05 0.65 0.15 Features High foward current transfer ratio hFE. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). 1 Mini type package, allowing downsizing of the equipment and 3 automatic insertion through the tape packin

 8.3. Size:52K  secos
2sd601a.pdfpdf_icon

2SD601LT1

2SD601A 0.1A , 60V NPN Plastic-Encapsulate Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-23 FEATURE High forward current transfer ratio hFE A L Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) 3 3 Top View C B CLASSIFICATION OF hFE 1 1 2 2 K E Product-Rank 2SD601A-Q 2SD601A-R 2SD601A-S Ran

Другие транзисторы: 2SD669AL, 2SD669AM, 2SD669AM-A, 2SD669-B, 2SD669-C, 2SD669-D, 2SD468B, 2SD468C, 2SC2073, 2SD602LT1, 2SD874AQ, 2SD874AR, 2SD874AS, 2SD874Q, 2SD874R, 2SD874S, 2SD882GP