Справочник транзисторов. A1163

 

Биполярный транзистор A1163 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: A1163
   Маркировка: CG_CL
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для A1163

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

A1163 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:485K  fgx
a1163.pdfpdf_icon

A1163

A1163 PNP silicon APPLICATION:Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications.MAXIMUM RATINGSTa25PARAMETER SYMBOL RATING UNITCollector-base voltage VCBO -120 VCollector-emitter voltage VCEO -120 VEmitter-base voltage VEBO -5 VCollector current IC -100 mA 1Collector Power Dissipation PC 150 mW2Junction Temperature TJ 150

 0.1. Size:265K  toshiba
2sa1163.pdfpdf_icon

A1163

2SA1163 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA1163 Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Unit: mm High voltage: VCEO = -120 V Excellent hFE linearity: hFE (IC = -0.1 mA)/hFE (IC = -2 mA) = 0.95 (typ.) High hFE: hFE = 200~700 Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max) Complementary to 2SC2713 Small package Abs

 0.2. Size:503K  toshiba
2sa1163gr 2sa1163bl.pdfpdf_icon

A1163

2SA1163 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA1163 Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Unit: mm AEC-Q101 Qualified (Note1). High voltage: V = -120 V CEO Excellent h linearity: h (I = -0.1 mA)/h (I = -2 mA) FE FE C FE C = 0.95 (typ.) High h h = 200 to 700 FE: FE Low noise: NF = 1 dB (typ.), 10 dB (max)

 0.3. Size:1685K  kexin
2sa1163.pdfpdf_icon

A1163

SMD Type TransistorsPNP Transistors2SA1163SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.1 Features3 High voltage: VCEO = -120 V High hFE: hFE = 200~700 Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max)1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01 Small package+0.11.9 -0.1 Complementary to 2SC27131.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: BTD1805J3 | KT348A3 | H2N6388 | NSBC144TF3 | 2N1853-18 | BUY82 | 2N6415

 

 
Back to Top

 


 
.