Биполярный транзистор A1270 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: A1270
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.63 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO92
A1270 Datasheet (PDF)
a1270.pdf
A1270 PNP silicon APPLICATIONGENERAL PURPOSE APPLICATION.MAXIMUM RATINGSTa25PARAMETER SYMBOL RATING UNITCollector-base voltage VCBO -35 VCollector-emitter voltage VCEO -30 VEmitter-base voltage VEBO -5 VCollector current IC -500 mACollector Power Dissipation PC 625 mWJunction Temperature TJ 150Storage Temperatur
kta1270-o-y.pdf
MCCKTA1270-OMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311KTA1270-YPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Halogen free available upon request by adding suffix "-HF" Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates RoHS PNPCompliant. See ordering information)Plastic-Encapsulate Epoxy meets
kta1270.pdf
SEMICONDUCTOR KTA1270TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION. FEATURES Excellent hFE Linearity: hFE(2)=25(Min.) at VCE=-6V, IC=-400mA.Complementary to KTC3202.MAXIMUM RATING (Ta=25)CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITVCBO -35 VCollector-Base VoltageVCEO -30 VCollector-Emitter VoltageVEBOEmitter-Base Voltag
kta1270.pdf
KTA1270(PNP)TO-92 TransistorsTO-92 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE Features Geenral purpose application switching application MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -35 V VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V Dimensions in inches and (millimeters)IC Collector Curren
bta1270a3.pdf
Spec. No. : C305A3 Issued Date : 2013.01.16 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor BTA1270A3Description The BTA1270A3 is designed for using in driver stage of AF amplifier and general purpose amplification. Large IC , IC Max .= -0.6A Low VCE(sat), typically -0.09V at IC/IB = -100mA / -10mA. Ideal fo
fta1270.pdf
SEMICONDUCTORFTA1270TECHNICAL DATAGeneral Purpose TransistorB CPNP SiliconFEATURE DIM MILLIMETERSComplementary NPN Type available (FTC3202) A 4.70 MAXEB 4.80 MAXGC 3.70 MAXDD 0.55 MAXE 1.00F 1.27G 0.85 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) H 0.45_HJ 14.00 + 0.50Symbol Parameter Value Units L 2.30F FM 0.51 MAXVCBO Collector-Base V
kta1270.pdf
DIP Type TransistorsPNP TransistorsKTA1270Unit:mmTO-924.8 0.3 3.8 0.3 Features Excellent hFE Linearity Complementary to KTC3202.0.60 Max0.45 0.1 0.521 31.Emitter2.Collector1.272.54 3.Base Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -35 Collector - Emitter Voltage VCEO -30 V Emitter
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050