A1296 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: A1296  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для A1296

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

A1296 даташит

 ..1. Size:223K  fgx
 a1296.pdf pdf_icon

A1296

A1296 PNP silicon APPLICATION Power Amplifier Application, Power Switching Application. MAXIMUM RATINGS Ta 25 PARAMETER SYMBOL RATING UNIT Collector-base voltage VCBO -20 V Collector-emitter voltage VCEO -20 V Emitter-base voltage VEBO -6 V Collector current IC -2 A Collector Power Dissipation PC 750 mW Junction Temperature TJ 15

 0.1. Size:219K  toshiba
 2sa1296.pdf pdf_icon

A1296

2SA1296 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA1296 Power Amplifier Applications Unit mm Power Switching Applications Low saturation voltage VCE (sat) = -0.5 V (max) @I = -2 A C Complementary to 2SC3266. Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -20 V Collector-emitter voltage VCEO

 0.2. Size:103K  secos
 2sa1296.pdf pdf_icon

A1296

2SA1296 -2 A, -20 V PNP Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES Low Saturation Voltage VCE(sat) High DC Current Gain G H Emitter Collector Base J CLASSIFICATION OF hFE(1) A D Product-Rank 2SA1296-Y 2SA1296-GR Millimeter REF. B Min. Max.

 0.3. Size:72K  kec
 kta1296.pdf pdf_icon

A1296

SEMICONDUCTOR KTA1296 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR POWER AMPLIFIER APPLICATION. POWER SWITCHING APPLICATION. B C FEATURES Low Saturation Voltage. VCE(sat)=-0.5V(Max.) at IC=-2A N DIM MILLIMETERS Complementary to KTC3266. A 4.70 MAX E K B 4.80 MAX G C 3.70 MAX D D 0.45 E 1.00 F 1.27 G 0.85 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) H 0.45 _ H J 14.00 + 0.50 CHARAC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: A1266, A1267, A1267S, A1270, A1271, A1273, A1273A, A1276, 2SC2240, A1297, A1298, A1300, A1309, A1313, A1317, A1317S, A1320