BFU580G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFU580G  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 24 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 11000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.1 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT223

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BFU580G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFU580G даташит

 ..1. Size:317K  nxp
 bfu580g.pdf pdf_icon

BFU580G

BFU580G NPN wideband silicon RF transistor Rev. 1 28 April 2014 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon microwave transistor for high speed, medium power applications in a plastic, 4-pin SOT223 package. The BFU580G is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to medium power applications up to 2 GHz. 1.2 Features and benef

 8.1. Size:294K  nxp
 bfu580q.pdf pdf_icon

BFU580G

BFU580Q NPN wideband silicon RF transistor Rev. 1 28 April 2014 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon microwave transistor for high speed, medium power applications in a plastic, 3-pin SOT89 package. The BFU580Q is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to medium power applications up to 2 GHz. 1.2 Features and benefi

 8.2. Size:255K  inchange semiconductor
 bfu580q.pdf pdf_icon

BFU580G

isc Silicon NPN RF Transistor BFU580Q DESCRIPTION Low Noise Figure f = 8.5GHz TYP. @I = 30mA ; V = 8V; f= 900MHz T C CE High Gain S 2 =13dB TYP. @I = 30mA ; V = 8V; f= 900MHz 21 C CE Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in low noise ,high-gain amplifiers and linear broadband amplifiers. ABSOLU

Другие транзисторы: BFU530W, BFU530X, BFU530XR, BFU550, BFU550A, BFU550W, BFU550X, BFU550XR, 2N4401, BFU580Q, BFU590G, BFU590Q, BFU730LX, BFU768F, BFU910F, BFW44CSM, BFW44DCSM