BFU590G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFU590G  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 24 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.08 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8500 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.9 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT223

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BFU590G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFU590G даташит

 ..1. Size:277K  nxp
 bfu590g.pdf pdf_icon

BFU590G

BFU590G NPN wideband silicon RF transistor Rev. 1 28 April 2014 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon microwave transistor for high speed, medium power applications in a plastic, 4-pin SOT223 package. The BFU590G is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to medium power applications up to 2 GHz. 1.2 Features and benef

 8.1. Size:254K  nxp
 bfu590q.pdf pdf_icon

BFU590G

BFU590Q NPN wideband silicon RF transistor Rev. 1 28 April 2014 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon microwave transistor for high speed, medium power applications in a plastic, 3-pin SOT89 package. The BFU590Q is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to medium power applications up to 2 GHz. 1.2 Features and benefi

Другие транзисторы: BFU530XR, BFU550, BFU550A, BFU550W, BFU550X, BFU550XR, BFU580G, BFU580Q, 2SC5198, BFU590Q, BFU730LX, BFU768F, BFU910F, BFW44CSM, BFW44DCSM, BFX34SMD, BFX34SMD05