Справочник транзисторов. BFU590G

 

Биполярный транзистор BFU590G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BFU590G
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 24 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.08 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8500 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.9 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SOT223
 

 Аналог (замена) для BFU590G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFU590G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:277K  nxp
 bfu590g.pdf pdf_icon

BFU590G

BFU590GNPN wideband silicon RF transistorRev. 1 28 April 2014 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon microwave transistor for high speed, medium power applications in a plastic, 4-pin SOT223 package.The BFU590G is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to medium power applications up to 2 GHz.1.2 Features and benef

 8.1. Size:254K  nxp
 bfu590q.pdf pdf_icon

BFU590G

BFU590QNPN wideband silicon RF transistorRev. 1 28 April 2014 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon microwave transistor for high speed, medium power applications in a plastic, 3-pin SOT89 package.The BFU590Q is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to medium power applications up to 2 GHz.1.2 Features and benefi

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: BFX34SMD05 | BFV24

 

 
Back to Top

 


 
.