2SC6120 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC6120  📄📄 

Маркировка: BW

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT323

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC6120

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC6120 даташит

 ..1. Size:138K  isahaya
 2sc6120.pdf pdf_icon

2SC6120

2SC6120 FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION Unit mm OUTLINE DRAWING 2SC6120 is a silicon NPN epitaxial type transistor designed with 2.1 high collector current, low VCE sat . 0.425 1.25 0.425 FEATURE High collector current IC MAX =600mA Low collector to emitter saturation voltage VCE

 8.1. Size:201K  toshiba
 2sc6124.pdf pdf_icon

2SC6120

2SC6124 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6124 Power Amplifier Applications Unit mm Power Switching Applications Low collector emitter saturation voltage VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 1 A) High-speed switching tstg = 400 ns (typ.) Complementary to 2SA2206 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO

 8.2. Size:219K  toshiba
 2sc6126.pdf pdf_icon

2SC6120

2SC6126 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6126 High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications LCD Backlighting Applications High DC current gain hFE = 250 to 400 (IC= 0.3 A) Low collector-emitter saturation VCE(sat) = 0.18 V (max) High-speed switching tf = 40 ns (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristic

 8.3. Size:150K  toshiba
 2sc6125.pdf pdf_icon

2SC6120

2SC6125 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6125 High-Speed Switching Applications Unit mm Power Amplifier Applications High DC current gain hFE = 180 to 390 (IC = 0.5 A) Low collector-emitter saturation VCE (sat) = 0.2 V (max) High-speed switching tf = 15 ns (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Rating Unit Collector

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC6097-TL-E, 2SC6098-E, 2SC6098-TL-E, 2SC6099-E, 2SC6099-TL-E, 2SC6105, 2SC6114G5GP, 2SC6114T1GP, BC547B, 2SC6123, 2SC6123-Z, 2SC6145, 2SC6145A, 2SC945-GR, 2SC945LT1, 2SC945-Y, 2SD1991A