Биполярный транзистор MJL21193G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MJL21193G
Маркировка: MJL21193
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 500 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: TO264
Аналоги (замена) для MJL21193G
MJL21193G Datasheet (PDF)
mjl21193g.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MJL21193 (PNP),MJL21194 (NPN)Silicon Power TransistorsThe MJL21193 and MJL21194 utilize Perforated Emittertechnology and are specifically designed for high power audio output,disk head positioners and linear applications.http://onsemi.comFeatures Total Harmonic Distortion Characterized16 AMPERE COMPLEMENTARY High DC Current GainSILICON POWER Excellent Gain Linea
mjl21193 mjl21194.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Order this documentMOTOROLAby MJL21193/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAPNPMJL21193*NPNSilicon Power Transistors*MJL21194The MJL21193 and MJL21194 utilize Perforated Emitter technology and are*Motorola Preferred Devicespecifically designed for high power audio output, disk head positioners and linearapplications. 16 AMPERECOMPLEMENTARY Total Harmonic Distortion Char
mjl21193 mjl21194.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MJL21193 (PNP),MJL21194 (NPN)Silicon Power TransistorsThe MJL21193 and MJL21194 utilize Perforated Emittertechnology and are specifically designed for high power audio output,disk head positioners and linear applications.http://onsemi.comFeatures Total Harmonic Distortion Characterized16 AMPERE COMPLEMENTARY High DC Current GainSILICON POWER Excellent Gain Linea
mjl21193.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon PNP Power Transistor MJL21193DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= -250V(Min)High DC Current Gain hFE = 25 Min @ IC = 8 AdcComplement to Type MJL21194APPLICATIONSPerforated Emitter technologyhigh power audio output, disk head positionerslinear applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBOL
mjl21193.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
isc Silicon PNP Power Transistor MJL21193DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= -250V(Min)High DC Current Gain hFE = 25 Min @ IC = 8 AdcComplement to Type MJL21194Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPerforated Emitter technologyhigh power audio output, disk head positionerslinear ap
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .