3CD1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3CD1  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3CD1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CD1 даташит

 ..1. Size:123K  china
 3cd1.pdf pdf_icon

3CD1

 0.1. Size:215K  diodes
 zx3cd1s1m832.pdf pdf_icon

3CD1

ZX3CD1S1M832 MPPS Miniature Package Power Solutions 12V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR AND 40V, 1A SCHOTTKY DIODE COMBINATION DUAL SUMMARY PNP Transistor VCEO =-12V; RSAT = 65m ; = -4A C Schottky Diode VR = 40V; VF = 500mV (@1A); IC=1A DESCRIPTION Packaged in the new innovative 3mm x 2mm MLP this combination dual comprises an ultra low saturation PNP transistor and a 1A Schottky bar

 0.2. Size:123K  china
 3cd100.pdf pdf_icon

3CD1

3CD100 PNP B C D E F G H PCM TC=75 100 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 1 /W IC=3A V(BR)CBO ICB=5mA 50 80 100 120 150 200 250 V V(BR)CEO ICE=5mA 50 80 100 120 150 200 250 V V(BR)EBO IEB=5mA 4.0 V ICBO VCB=50V

 0.3. Size:226K  lzg
 3cd1375.pdf pdf_icon

3CD1

2SB1375(3CD1375) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Audio frequency power amplifier applications. 2SD2012(3DD2012) /Features Low V , CE(sat) High P , complementary pair with 2SD2012(3DD2012). C /Absolute maximum ratings(Ta=25 )

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MJW21195G, MJW21196G, MJW3281AG, 3CD010, 3CD020, 3CD030, 3CD050, 3CD075, 2SC4793, 3CD100, 3CD1010, 3CD102, 3CD103, 3CD1094, 3CD1290, 3CD1375, 3CD150