3DG182 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DG182  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO18

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DG182

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG182 даташит

 ..1. Size:121K  china
 3dg182.pdf pdf_icon

3DG182

 9.1. Size:119K  china
 3dg183.pdf pdf_icon

3DG182

3DG183 NPN A B C D E PCM TA=25 700 mW ICM 100 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 300 350 400 450 500 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 300 350 400 450 500 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=30V 1.0 A ICEO VCE=30V 2.0 A IE

 9.2. Size:234K  foshan
 3dg1815.pdf pdf_icon

3DG182

2SC1815(3DG1815) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR , Purpose Audio frequency general purpose ,driver stage amplifier applications. , , h , , 2SA1015(3CG1015) FE Features High voltage and high current, excellent h linearity ,low noise ,complementary FE p

 9.3. Size:387K  foshan
 3dg1815m.pdf pdf_icon

3DG182

2SC1815M(3DG1815M) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR , /Purpose Audio frequency general purpose, driver stage amplifier applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 50 V CEO V 5.0 V EBO I 150 mA C I 50 mA B P 300 mW C T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DG1740S, 3DG1741AM, 3DG1741S, 3DG180, 3DG1809, 3DG181, 3DG1815, 3DG1815M, B647, 3DG183, 3DG1859, 3DG1906, 3DG1921, 3DG1923, 3DG1959, 3DG1959M, 3DG19A