Справочник транзисторов. 3DG182

 

Биполярный транзистор 3DG182 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 3DG182

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25

Корпус транзистора: TO18

Аналоги (замена) для 3DG182

 

 

3DG182 Datasheet (PDF)

1.1. 3dg182.pdf Size:121K _china

3DG182

3DG182 型 NPN 硅高频小功率晶体管 规范值 参数符号 测试条件 单位 A B C D E PCM 700 mW ICM 300 mA 极 限 Tjm 175 ℃ 值 Tstg -55~150 ℃ V(BR)CBO ICB=0.1mA ≥60 ≥100 ≥140 ≥180 ≥220 V V(BR)CEO ICE=0.1mA ≥60 ≥100 ≥140 ≥180 ≥220 V V(BR)EBO IEB=0.1mA ≥5.0 V ICBO VCB=30V ≤1.0 μA 直 ICEO VCE=30V ≤2.0 μA 流 IEBO VEB=2V

5.1. 3dg1815.pdf Size:234K _china

3DG182
3DG182

2SC1815(3DG1815) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于音频放大,激励级放大。 Purpose: Audio frequency general purpose ,driver stage amplifier applications. 特点:耐压高,电流大,有极好的 h 特性,低噪声系数,可与 2SA1015(3CG1015)互补。 FE Features: High voltage and high current, excellent h linearity ,low noise ,complementary FE p

5.2. 3dg1809.pdf Size:124K _china

3DG182
3DG182

2SC1809(3DG1809) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于调频收音机射频放大。 Purpose: FM radio RF amplifier applications. 特点:f 高,低电容输出,基极时间常数小和增益高,极好的噪声特性。 T Features: High f , low output capacitance, low base time constant and high gain, T excellent noise characteristics. 极限参数/A

 5.3. 3dg183.pdf Size:119K _china

3DG182

3DG183 型 NPN 硅高频小功率晶体管 规范值 参数符号 测试条件 单位 A B C D E PCM TA=25℃ 700 mW ICM 100 mA 极 限 Tjm 175 ℃ 值 Tstg -55~150 ℃ V(BR)CBO ICB=0.1mA ≥300 ≥350 ≥400 ≥450 ≥500 V V(BR)CEO ICE=0.1mA ≥300 ≥350 ≥400 ≥450 ≥500 V V(BR)EBO IEB=0.1mA ≥5.0 V ICBO VCB=30V ≤1.0 μA 直 ICEO VCE=30V ≤2.0 μA 流 IE

5.4. 3dg1815m.pdf Size:387K _china

3DG182
3DG182

2SC1815M(3DG1815M) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于普通低频放大,激励级放大。/Purpose: Audio frequency general purpose, driver stage amplifier applications. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 50 V CEO V 5.0 V EBO I 150 mA C I 50 mA B P 300 mW C T

 5.5. 3dg1859.pdf Size:307K _china

3DG182
3DG182

2SC1859(3DG1859) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于中功率放大。 Purpose: Medium power amplifier applications. 特点:高电压,大电流,与 2SB1238(3CA1238)互补。 Features: High breakdown voltage,high current,complementary pair with 2SB1238(3CA1238). 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol R

5.6. 3dg180.pdf Size:26K _china

3DG182

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DG180 NPN Silicon High Reverse Voltage High Frequency Middle Power Transistor Features: 1. Using epitaxy planar technology structure. High working frequency. Metallic packaging. 2. Small volume, light weight, easy installation. 3. Use for high frequency oscillation, high frequency small signal amplificat

5.7. 3dg181.pdf Size:32K _china

3DG182

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DG181, 3DG182 NPN Silicon High Reverse Voltage High Frequency Middle Power Transistor Features: 1. Using epitaxy planar technology structure. High working frequency. Metallic packaging. 2. Small volume, light weight, easy installation. 3. Use for high frequency oscillation, high frequency small signal am

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top

 


3DG182
  3DG182
  3DG182
 

social 

Список транзисторов

Обновления

BJT: CHDTC114EKPT | CE1A3Q | 2SC6089 | 2SC4714 | 2SD1047C | 2SB817C | FW26025A1 | 2T665B9 | 2T665A9 | MJ13001A | HSC2682 | MRF660 | MP1620 | HLD133D | BFR360F | AV8050S | 3DD5027 | 3DD2901 | 3DD2102 | 3DD313 |

 

 

 

 

Back to Top