3DG3355 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DG3355  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6500 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.65 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DG3355

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG3355 даташит

 ..1. Size:174K  foshan
 3dg3355.pdf pdf_icon

3DG3355

2SC3355(3DG3355) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band applications. Features Low noise and high power gain. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating U

 8.1. Size:161K  china
 3dg3356.pdf pdf_icon

3DG3355

2SC3356(3DG3356) NPN /SILION NPN TRANSISTOR Purpose low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band applications. Features Low noise and high power gain. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Uni

 8.2. Size:202K  foshan
 3dg3357.pdf pdf_icon

3DG3355

 9.1. Size:112K  jiangsu
 3dg3332.pdf pdf_icon

3DG3355

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors 3DG3332 TRANSISTOR (NPN) TO 92 FEATURES 1.EMITTER Low Current High Voltage 2. COLLECTOR 3.BASE APPLICATIONS Video Telephony Professional Communication Equipment MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 180

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DG3020, 3DG3020A1, 3DG3130, 3DG3137, 3DG3142, 3DG3326, 3DG3330, 3DG3332, 2222A, 3DG3356, 3DG3357, 3DG3399, 3DG3402, 3DG3439, 3DG3440, 3DG3478, 3DG3545