Справочник транзисторов. 3DG3841

 

Биполярный транзистор 3DG3841 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3DG3841
   Маркировка: HT62_HT63_HT64
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2500 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.85 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для 3DG3841

 

 

3DG3841 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:187K  foshan
3dg3841.pdf

3DG3841
3DG3841

2SC3841(3DG3841) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: For use as UHF oscillator and a UHF mixer in a turner of a TV receiver. :- Features: High f ,low collector to base time constant, low output capacita

 9.1. Size:324K  foshan
3dg3838k.pdf

3DG3841
3DG3841

2SC3838K(3DG3838K) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :, Features: High f small NF. T, /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 20 V CBO V 11 V CEO V 3.0 V EBO I 50 mA C P 200 mW C T 150 j T -55150 stg /Electrical charac

 9.2. Size:196K  lzg
3dg380tm.pdf

3DG3841
3DG3841

2SC380TM(3DG380TM) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency amplifier applications. ::G =29dB()(f=10.7MHz) peFeatures: High power Gain: G =29dB(Typ.)(f=10.7MHz). pe/Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit VCBO 35 V V 30 V

 9.3. Size:207K  lzg
3dg383tm.pdf

3DG3841
3DG3841

2SC383TM(3DG383TM) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose:TV final picture IF amplifier applications. ::G =33dB()(f=45MHz),h pe FEFeatures:High gain: G =33dB(Typ)(f=45MHz),good linearity of h . pe FE/Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol R

 9.4. Size:201K  lzg
3dg388atm.pdf

3DG3841
3DG3841

2SC388ATM(3DG388ATM) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: TV final picture IF amplifier applications. ::G =33dB()(f=45MHz),h pe FEFeatures: High gain: G =33dB(Typ)(f=45MHz),good linearity of h . pe FE/Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symb

Другие транзисторы... BC507FA , BC507FB , BC508 , BC508A , BC508B , BC508C , BC508F , BC508FA , A1941 , BC508FC , BC509 , BC509B , BC509C , BC509F , BC509FB , BC509FC , BC510 .

 

 
Back to Top