3DK8 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DK8  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO18

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DK8

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DK8 даташит

 ..1. Size:147K  china
 3dk8.pdf pdf_icon

3DK8

3DK8 NPN A B C D E PCM TC=25 500 mW ICM 300 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 40 60 20 40 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 30 45 15 30 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=10V 0.2 A ICEO VCE=10V 0.5 A IEBO VEB

 0.1. Size:617K  fairchild semi
 hufa76413dk8t f085.pdf pdf_icon

3DK8

October 2010 HUFA76413DK8T_F085 N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET 60V, 4.8A, 56m General Description These N-Channel power MOSFETs are manufactured us- Applications ing the innovative UltraFET process. This advanced pro- Motor and Load Control cess technology achieves the lowest possible on- resistance per silicon area, resulting in outstanding perfor- Powertr

 0.2. Size:219K  intersil
 huf76113dk8.pdf pdf_icon

3DK8

HUF76113DK8 TM Data Sheet June 2000 File Number 4387.5 6A, 30V, 0.032 Ohm, Dual N-Channel, Features Logic Level UltraFET Power MOSFET Logic Level Gate Drive This N-Channel power MOSFET is 6A, 30V manufactured using the innovative Ultra Low On-Resistance, rDS(ON) = 0.032 UltraFET process. This advanced process technology achieves the Temperature Compensating PS

Другие транзисторы: 3DK4, 3DK402, 3DK405, 3DK40B, 3DK50, 3DK5886, 3DK5E, 3DK7, 2SC945, 3DK9, 3N1151GP, 3N13003GP, 3N440GP, 3N772GP, 3N882GP, 3RA2114, 3SC2655