Справочник транзисторов. 3DK8

 

Биполярный транзистор 3DK8 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3DK8
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 3DK8

 

 

3DK8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:147K  china
 3dk8.pdf

3DK8

3DK8 NPN A B C D E PCM TC=25 500 mW ICM 300 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 40 60 20 40 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 30 45 15 30 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=10V 0.2 A ICEO VCE=10V 0.5 A IEBO VEB

 0.1. Size:617K  fairchild semi
 hufa76413dk8t f085.pdf

3DK8 3DK8

October 2010HUFA76413DK8T_F085N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET60V, 4.8A, 56mGeneral DescriptionThese N-Channel power MOSFETs are manufactured us-Applicationsing the innovative UltraFET process. This advanced pro- Motor and Load Controlcess technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding perfor- Powertr

 0.2. Size:219K  intersil
 huf76113dk8.pdf

3DK8 3DK8

HUF76113DK8TMData Sheet June 2000 File Number 4387.56A, 30V, 0.032 Ohm, Dual N-Channel, FeaturesLogic Level UltraFET Power MOSFET Logic Level Gate DriveThis N-Channel power MOSFET is 6A, 30Vmanufactured using the innovative Ultra Low On-Resistance, rDS(ON) = 0.032UltraFET process. This advancedprocess technology achieves the Temperature Compensating PS

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top