PHPT61010NY - описание и поиск аналогов

 

PHPT61010NY - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PHPT61010NY
   Маркировка: 1010NAB
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 145 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: SOT669

 Аналоги (замена) для PHPT61010NY

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PHPT61010NY - технические параметры

 ..1. Size:233K  nxp
phpt61010ny.pdfpdf_icon

PHPT61010NY

PHPT61010NY 100 V, 10 A NPN high power bipolar transistor 20 March 2015 Product data sheet 1. General description NPN high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. PNP complement PHPT61010PY 2. Features and benefits High thermal power dissipation capability High temperature applications up to 175 C Reduced Printe

 5.1. Size:230K  nxp
phpt61010py.pdfpdf_icon

PHPT61010NY

PHPT61010PY 100 V, 10 A PNP high power bipolar transistor 20 March 2015 Product data sheet 1. General description PNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. NPN complement PHPT61010NY. 2. Features and benefits High thermal power dissipation capability Suitable for high temperature applications up to 175 C

 7.1. Size:230K  nxp
phpt61006ny.pdfpdf_icon

PHPT61010NY

PHPT61006NY 100 V, 6 A NPN high power bipolar transistor 26 January 2015 Product data sheet 1. General description NPN high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. PNP complement PHPT61006PY 2. Features and benefits High thermal power dissipation capability High temperature applications up to 175 C Reduced Print

 7.2. Size:228K  nxp
phpt61006py.pdfpdf_icon

PHPT61010NY

PHPT61006PY 100 V, 6 A PNP high power bipolar transistor 21 January 2015 Product data sheet 1. General description PNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. NPN complement PHPT61006NY 2. Features and benefits High thermal power dissipation capability High temperature applications up to 175 C Reduced Print

Другие транзисторы... PHPT610030NPK , PHPT610030PK , PHPT610035NK , PHPT610035PK , PHPT61003NY , PHPT61003PY , PHPT61006NY , PHPT61006PY , BD135 , PHPT61010PY , PIMC31 , PIMZ2 , PMA1302 , PMA1516 , PMB1370 , PMB1626 , PMB688 .

 

 
Back to Top

 


 
.