Справочник транзисторов. PHPT61010NY

 

Биполярный транзистор PHPT61010NY Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PHPT61010NY
   Маркировка: 1010NAB
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 145 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: SOT669
 

 Аналог (замена) для PHPT61010NY

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PHPT61010NY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:233K  nxp
phpt61010ny.pdfpdf_icon

PHPT61010NY

PHPT61010NY100 V, 10 A NPN high power bipolar transistor20 March 2015 Product data sheet1. General descriptionNPN high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-MountedDevice (SMD) power plastic package.PNP complement: PHPT61010PY2. Features and benefits High thermal power dissipation capability High temperature applications up to 175 C Reduced Printe

 5.1. Size:230K  nxp
phpt61010py.pdfpdf_icon

PHPT61010NY

PHPT61010PY100 V, 10 A PNP high power bipolar transistor20 March 2015 Product data sheet1. General descriptionPNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device(SMD) power plastic package.NPN complement: PHPT61010NY.2. Features and benefits High thermal power dissipation capability Suitable for high temperature applications up to 175 C

 7.1. Size:230K  nxp
phpt61006ny.pdfpdf_icon

PHPT61010NY

PHPT61006NY100 V, 6 A NPN high power bipolar transistor26 January 2015 Product data sheet1. General descriptionNPN high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-MountedDevice (SMD) power plastic package.PNP complement: PHPT61006PY2. Features and benefits High thermal power dissipation capability High temperature applications up to 175 C Reduced Print

 7.2. Size:228K  nxp
phpt61006py.pdfpdf_icon

PHPT61010NY

PHPT61006PY100 V, 6 A PNP high power bipolar transistor21 January 2015 Product data sheet1. General descriptionPNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-MountedDevice (SMD) power plastic package.NPN complement: PHPT61006NY2. Features and benefits High thermal power dissipation capability High temperature applications up to 175 C Reduced Print

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: TIP645 | SUR540EF | MJE5170 | MJE5851G | BC135 | ASZ10

 

 
Back to Top

 


 
.