Биполярный транзистор CMPT591E Даташит. Аналоги
Наименование производителя: CMPT591E
Маркировка: C59
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT-23
- подбор биполярного транзистора по параметрам
CMPT591E Datasheet (PDF)
cmpt591e.pdf

CMPT591Ewww.centralsemi.comENHANCED SPECIFICATIONSURFACE MOUNTDESCRIPTION:PNP SILICON TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT591E type is an Enhanced version of the industry standard 591 PNP silicon transistor. This device is manufactured by the epitaxial planar process and epoxy molded in an SOT-23 surface mount package. The CMPT591E features Low VCE(SAT), high hFE, and
cmpt5179.pdf

CMPT5179www.centralsemi.comSURFACE MOUNTDESCRIPTION:NPN SILICON RF TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5179 type is an NPN silicon RF transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for low noise, high frequency amplifier and high output oscillator applications.MARKING CODE: C7HSOT-23 CASEMAXIMUM RATINGS: (TA
cmpt5401.pdf

CMPT5401www.centralsemi.comSURFACE MOUNTDESCRIPTION:PNP SILICON TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5401 type is a PNP silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high voltage amplifier applications.MARKING CODE: C2LSOT-23 CASEMAXIMUM RATINGS: (TA=25C) SYMBOL UNITSCollector-Base Voltage VC
cmpt5551.pdf

CMPT5551www.centralsemi.comSURFACE MOUNTDESCRIPTION:NPN SILICON TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5551 type is an NPN silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high voltage amplifier applications. MARKING CODE: 1FFSOT-23 CASEMAXIMUM RATINGS: (TA=25C) SYMBOL UNITSCollector-Base Voltage
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: PN4142 | SGSIF444 | 40634 | 2SD1406G | BD235-16
History: PN4142 | SGSIF444 | 40634 | 2SD1406G | BD235-16



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor | c5149 datasheet | m1830m mosfet | pkch2bb mosfet | 2024ont | 2n1306 transistor