Справочник транзисторов. CMPT591E

 

Биполярный транзистор CMPT591E Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: CMPT591E
   Маркировка: C59
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT-23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

CMPT591E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:391K  central
cmpt591e.pdfpdf_icon

CMPT591E

CMPT591Ewww.centralsemi.comENHANCED SPECIFICATIONSURFACE MOUNTDESCRIPTION:PNP SILICON TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT591E type is an Enhanced version of the industry standard 591 PNP silicon transistor. This device is manufactured by the epitaxial planar process and epoxy molded in an SOT-23 surface mount package. The CMPT591E features Low VCE(SAT), high hFE, and

 9.1. Size:323K  central
cmpt5179.pdfpdf_icon

CMPT591E

CMPT5179www.centralsemi.comSURFACE MOUNTDESCRIPTION:NPN SILICON RF TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5179 type is an NPN silicon RF transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for low noise, high frequency amplifier and high output oscillator applications.MARKING CODE: C7HSOT-23 CASEMAXIMUM RATINGS: (TA

 9.2. Size:324K  central
cmpt5401.pdfpdf_icon

CMPT591E

CMPT5401www.centralsemi.comSURFACE MOUNTDESCRIPTION:PNP SILICON TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5401 type is a PNP silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high voltage amplifier applications.MARKING CODE: C2LSOT-23 CASEMAXIMUM RATINGS: (TA=25C) SYMBOL UNITSCollector-Base Voltage VC

 9.3. Size:323K  central
cmpt5551.pdfpdf_icon

CMPT591E

CMPT5551www.centralsemi.comSURFACE MOUNTDESCRIPTION:NPN SILICON TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5551 type is an NPN silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high voltage amplifier applications. MARKING CODE: 1FFSOT-23 CASEMAXIMUM RATINGS: (TA=25C) SYMBOL UNITSCollector-Base Voltage

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: PN4142 | SGSIF444 | 40634 | 2SD1406G | BD235-16

 

 
Back to Top

 


 
.