CMPT591E datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: CMPT591E 📄📄
Маркировка: C59
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200
Корпус транзистора: SOT-23
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для CMPT591E
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
CMPT591E даташит
cmpt591e.pdf
CMPT591E www.centralsemi.com ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT DESCRIPTION PNP SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT591E type is an Enhanced version of the industry standard 591 PNP silicon transistor. This device is manufactured by the epitaxial planar process and epoxy molded in an SOT-23 surface mount package. The CMPT591E features Low VCE(SAT), high hFE, and
cmpt5179.pdf
CMPT5179 www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION NPN SILICON RF TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5179 type is an NPN silicon RF transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for low noise, high frequency amplifier and high output oscillator applications. MARKING CODE C7H SOT-23 CASE MAXIMUM RATINGS (TA
cmpt5401.pdf
CMPT5401 www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION PNP SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5401 type is a PNP silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high voltage amplifier applications. MARKING CODE C2L SOT-23 CASE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C) SYMBOL UNITS Collector-Base Voltage VC
cmpt5551.pdf
CMPT5551 www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION NPN SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5551 type is an NPN silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high voltage amplifier applications. MARKING CODE 1FF SOT-23 CASE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C) SYMBOL UNITS Collector-Base Voltage
Другие транзисторы: CMPT404A, CMPT4209, CMPT491E, CMPT5087E, CMPT5088E, CMPT5401E, CMPT5551E, CMPT5551HC, MPSA42, CMPT7410, CMPT7820, CMPT992, CMPT992P, CMPTA14E, CMPTA42E, CMPTA46, CMPTA77
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor | c5149 datasheet | m1830m mosfet | pkch2bb mosfet | 2024ont | 2n1306 transistor












