Биполярный транзистор PBSS5160T-HF Даташит. Аналоги
Наименование производителя: PBSS5160T-HF
Маркировка: U6*
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.27 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.9 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT-23
Аналог (замена) для PBSS5160T-HF
PBSS5160T-HF Datasheet (PDF)
pbss5160t-hf.pdf

SMD Type TransistorsPNP TransistorsPBSS5160T-HF (KBSS5160T-HF)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current capability: IC and ICM1 2+0.1+0.050.95 -0.1 High efficiency, reduces heat generation 0.1 -0.01+0.11.9 -0.1 Reduces printed-circuit board area required
pbss5160t n.pdf

PBSS5160T60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 03 18 July 2008 Product data sheetIMPORTANT NOTICEDear customer,As from October 1st, 2006 Philips Semiconductors has a new trade name- NXP Semiconductors, which will be used in future data sheets together with new contactdetails.In data sheets where the previous Philips references remain, please use the new links assh
pbss5160t.pdf

PBSS5160T60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 04 15 January 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS4160T.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector cu
pbss5160t.pdf

SMD Type TransistorsPNP TransistorsPBSS5160T (KBSS5160T)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current capability: IC and ICM1 2+0.1+0.050.95 -0.1 High efficiency, reduces heat generation 0.1 -0.01+0.11.9 -0.1 Reduces printed-circuit board area required1.Base2.E
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: TIP645 | SUR540EF | MJE5170 | MJE5851G | BC135 | ASZ10
History: TIP645 | SUR540EF | MJE5170 | MJE5851G | BC135 | ASZ10



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc732 | 2sc1451 replacement | 6426 mosfet | b1565 | nce82h140 | 2n2369 equivalent | 2sd313 datasheet | k8a50d datasheet