PBSS5160T-HF - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

PBSS5160T-HF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PBSS5160T-HF
   Маркировка: U6*
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.27 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.9 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для PBSS5160T-HF

 

PBSS5160T-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1212K  kexin
 pbss5160t-hf.pdf pdf_icon

PBSS5160T-HF

SMD Type Transistors PNP Transistors PBSS5160T-HF (KBSS5160T-HF) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current capability IC and ICM 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 High efficiency, reduces heat generation 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 Reduces printed-circuit board area required

 5.1. Size:284K  philips
 pbss5160t n.pdf pdf_icon

PBSS5160T-HF

PBSS5160T 60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 03 18 July 2008 Product data sheet IMPORTANT NOTICE Dear customer, As from October 1st, 2006 Philips Semiconductors has a new trade name - NXP Semiconductors, which will be used in future data sheets together with new contact details. In data sheets where the previous Philips references remain, please use the new links as sh

 5.2. Size:691K  nxp
 pbss5160t.pdf pdf_icon

PBSS5160T-HF

PBSS5160T 60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 04 15 January 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBSS4160T. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector cu

 5.3. Size:1741K  kexin
 pbss5160t.pdf pdf_icon

PBSS5160T-HF

SMD Type Transistors PNP Transistors PBSS5160T (KBSS5160T) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current capability IC and ICM 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 High efficiency, reduces heat generation 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 Reduces printed-circuit board area required 1.Base 2.E

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... PBSS4330PAS , PBSS4360Z , PBSS5112PAP , PBSS5130PAP , PBSS5130QA , PBSS5160PAP , PBSS5160PAPS , PBSS5160QA , 2SD669A , PBSS5230PAP , PBSS5230QA , PBSS5240X , PBSS5240Z , PBSS5260PAP , PBSS5260QA , PBSS5330PAS , PBSS5360Z .

 

 
Back to Top

 


 
.