Биполярный транзистор PBSS5160T-HF - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PBSS5160T-HF
Маркировка: U6*
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.27 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.9 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT-23
Аналоги (замена) для PBSS5160T-HF
PBSS5160T-HF Datasheet (PDF)
pbss5160t-hf.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SMD Type TransistorsPNP TransistorsPBSS5160T-HF (KBSS5160T-HF)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current capability: IC and ICM1 2+0.1+0.050.95 -0.1 High efficiency, reduces heat generation 0.1 -0.01+0.11.9 -0.1 Reduces printed-circuit board area required
pbss5160t n.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PBSS5160T60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 03 18 July 2008 Product data sheetIMPORTANT NOTICEDear customer,As from October 1st, 2006 Philips Semiconductors has a new trade name- NXP Semiconductors, which will be used in future data sheets together with new contactdetails.In data sheets where the previous Philips references remain, please use the new links assh
pbss5160t.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PBSS5160T60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 04 15 January 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS4160T.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector cu
pbss5160t.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SMD Type TransistorsPNP TransistorsPBSS5160T (KBSS5160T)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current capability: IC and ICM1 2+0.1+0.050.95 -0.1 High efficiency, reduces heat generation 0.1 -0.01+0.11.9 -0.1 Reduces printed-circuit board area required1.Base2.E
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .