PBSS5330PAS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PBSS5330PAS  📄📄 

Маркировка: E2

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 38 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-1061D

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PBSS5330PAS

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS5330PAS даташит

 ..1. Size:248K  nxp
 pbss5330pas.pdf pdf_icon

PBSS5330PAS

PBSS5330PAS 30 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 11 September 2014 Product data sheet 1. General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor, encapsulated in an ultra thin DFN2020D-3 (SOT1061D) leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability and visible and soldarable side pads. NPN complement PBSS4330PAS 2. F

 4.1. Size:158K  philips
 pbss5330pa.pdf pdf_icon

PBSS5330PAS

PBSS5330PA 30 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 19 April 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor, encapsulated in an ultra thin SOT1061 leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability. NPN complement PBSS4330PA. 1.2 Features and benefits

 4.2. Size:704K  nxp
 pbss5330pa.pdf pdf_icon

PBSS5330PAS

PBSS5330PA 30 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 7 April 2015 Product data sheet 1. General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor, encapsulated in an ultra thin SOT1061 leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability. NPN complement PBSS4330PA. 2. Features and benefits Low collector-emitter saturatio

 6.1. Size:189K  philips
 pbss5330x.pdf pdf_icon

PBSS5330PAS

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D109 PBSS5330X 30 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Product data sheet 2004 Nov 03 Supersedes data of 2003 Nov 28 NXP Semiconductors Product data sheet 30 V, 3 A PBSS5330X PNP low VCEsat (BISS) transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA SOT89 (SC-62) package SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Low collector-emitter sat

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PBSS5160QA, PBSS5160T-HF, PBSS5230PAP, PBSS5230QA, PBSS5240X, PBSS5240Z, PBSS5260PAP, PBSS5260QA, 2SD669, PBSS5360Z, KSA614F, KSB13002AR, KSB13003A, KSB13003AR, KSB13003C, KSB13003CR, KSB13003ER