WBP3306 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: WBP3306  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 950 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO-220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для WBP3306

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

WBP3306 даташит

 ..1. Size:477K  winsemi
 wbp3306.pdf pdf_icon

WBP3306

WBP3306 WBP3306 WBP3306 WBP3306 High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor Features Very high switching speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOA General Description This Device is designed for high voltage, High speed switching characteristics required such as lighting system, switching mode power supply. Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Test

 8.1. Size:387K  winsemi
 wbp3308.pdf pdf_icon

WBP3306

WBP3308 WBP3308 WBP3308 WBP3308 High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor Features Very high switching speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOA General Description This Device is designed for high voltage, High speed switching characteristics required such as lighting system, switching mode power supply. Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Test

Другие транзисторы: WBN13003A1, WBN13003B, WBN13003B2D, WBP13003D, WBP13005D, WBP13005D1, WBP13007-K, WBP13009-K, 2N3055, WBP3308, WBR13003, WBR13003B, WBR13003B2, WBR13003B2D, WBR13003B3, WBR13003D, WBR13003D1