WBP3306 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

WBP3306 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: WBP3306
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 950 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO-220
 

 Аналоги (замена) для WBP3306

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

WBP3306 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:477K  winsemi
 wbp3306.pdf pdf_icon

WBP3306

WBP3306WBP3306WBP3306WBP3306High Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeatures Very high switching speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOAGeneral DescriptionThis Device is designed for high voltage, Highspeed switching characteristics required such aslighting system, switching mode power supply.Absolute Maximum RatingsSymbol Parameter Test

 8.1. Size:387K  winsemi
 wbp3308.pdf pdf_icon

WBP3306

WBP3308WBP3308WBP3308WBP3308High Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeatures Very high switching speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOAGeneral DescriptionThis Device is designed for high voltage, Highspeed switching characteristics required such aslighting system, switching mode power supply.Absolute Maximum RatingsSymbol Parameter Test

Другие транзисторы... WBN13003A1 , WBN13003B , WBN13003B2D , WBP13003D , WBP13005D , WBP13005D1 , WBP13007-K , WBP13009-K , C5198 , WBP3308 , WBR13003 , WBR13003B , WBR13003B2 , WBR13003B2D , WBR13003B3 , WBR13003D , WBR13003D1 .

History: PN3568 | WBR13003B2D

 

 
Back to Top

 


 
.