Справочник транзисторов. DME20B01

 

Биполярный транзистор DME20B01 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: DME20B01
   Маркировка: A3
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN*PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 210
   Корпус транзистора: SOT-753
 

 Аналог (замена) для DME20B01

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DME20B01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:518K  panasonic
 dme20b01.pdf pdf_icon

DME20B01

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DME20B01Silicon PNP epitaxial planar type (Tr1)Silicon NPN epitaxial planar type (Tr2)For general amplification Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Mini5-G3-B Contributes to miniaturization of s

 9.1. Size:517K  panasonic
 dme20101.pdf pdf_icon

DME20B01

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DME20101Silicon PNP epitaxial planar type (Tr1)Silicon NPN epitaxial planar type (Tr2)For general amplification Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Mini5-G3-B Contributes to miniaturization of s

 9.2. Size:518K  panasonic
 dme20c01.pdf pdf_icon

DME20B01

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DME20C01Silicon PNP epitaxial planar type (Tr1)Silicon NPN epitaxial planar type (Tr2)For general amplification Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Mini5-G3-B Contributes to miniaturization of se

 9.3. Size:514K  panasonic
 dme20102.pdf pdf_icon

DME20B01

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DME20102Silicon PNP epitaxial planar type (Tr1)Silicon NPN epitaxial planar type (Tr2)For general amplification Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Mini5-G3-B Contributes to miniaturization of s

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... DMA90401 , DMC30401 , DMC90401 , DMC904F0 , DMC904F1 , DME20101 , DME20102 , DME20501 , BD777 , DME20C01 , DMG21401 , DMG50401 , DMG90401 , DMMT2907A , DMMT3904 , DMR935E1 , DMS935E1 .

History: 2SC2350

 

 
Back to Top

 


 
.