DME20B01 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DME20B01  📄📄 

Маркировка: A3

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 210

Корпус транзистора: SOT-753

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для DME20B01

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DME20B01 даташит

 ..1. Size:518K  panasonic
 dme20b01.pdf pdf_icon

DME20B01

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DME20B01 Silicon PNP epitaxial planar type (Tr1) Silicon NPN epitaxial planar type (Tr2) For general amplification Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Mini5-G3-B Contributes to miniaturization of s

 9.1. Size:517K  panasonic
 dme20101.pdf pdf_icon

DME20B01

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DME20101 Silicon PNP epitaxial planar type (Tr1) Silicon NPN epitaxial planar type (Tr2) For general amplification Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Mini5-G3-B Contributes to miniaturization of s

 9.2. Size:518K  panasonic
 dme20c01.pdf pdf_icon

DME20B01

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DME20C01 Silicon PNP epitaxial planar type (Tr1) Silicon NPN epitaxial planar type (Tr2) For general amplification Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Mini5-G3-B Contributes to miniaturization of se

 9.3. Size:514K  panasonic
 dme20102.pdf pdf_icon

DME20B01

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DME20102 Silicon PNP epitaxial planar type (Tr1) Silicon NPN epitaxial planar type (Tr2) For general amplification Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Mini5-G3-B Contributes to miniaturization of s

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: DMA90401, DMC30401, DMC90401, DMC904F0, DMC904F1, DME20101, DME20102, DME20501, BD333, DME20C01, DMG21401, DMG50401, DMG90401, DMMT2907A, DMMT3904, DMR935E1, DMS935E1