Справочник транзисторов. MMJT350T1G

 

Биполярный транзистор MMJT350T1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MMJT350T1G
   Маркировка: T350
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SOT-223
 

 Аналог (замена) для MMJT350T1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMJT350T1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:137K  onsemi
 mmjt350t1g.pdf pdf_icon

MMJT350T1G

MMJT350T1G,SMMJT350T1GBipolar Power TransistorsPNP SiliconBipolar power transistors are designed for use in line-operatedhttp://onsemi.comapplications such as low power, line-operated series pass andswitching regulators requiring PNP capability.0.5 AMPEREFeaturesPOWER TRANSISTOR High Collector-Emitter Sustaining Voltage -PNP SILICONVCEO(sus) = 300 Vdc @ IC 300 VOL

 7.1. Size:184K  onsemi
 mmjt350.pdf pdf_icon

MMJT350T1G

MMJT350Bipolar Power TransistorsPNP SiliconBipolar power transistors are designed for use in line-operatedapplications such as low power, line-operated series pass andswitching regulators requiring PNP capability.www.onsemi.comFeatures0.5 AMPERE High Collector-Emitter Sustaining VoltagePOWER TRANSISTOR Excellent DC Current GainPNP SILICON Epoxy Meets UL 94 V-0

Другие транзисторы... MMBTH10W , MMDT3904V , MMDT3906V , MMDT8050S , MMDT8150 , MMDTA06 , MMJD2955 , MMJD3055 , C3198 , MMS8050-H , MMS8050-L , MMS8550-H , MMS8550-L , MMS9012-H , MMS9012-L , MMS9013-H , MMS9013-L .

History: KT8150A-1 | BC807S

 

 
Back to Top

 


 
.