MMJT350T1G - описание и поиск аналогов

 

Аналоги MMJT350T1G. Основные параметры


   Наименование производителя: MMJT350T1G
   Маркировка: T350
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SOT-223

 Аналоги (замена) для MMJT350T1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMJT350T1G даташит

 ..1. Size:137K  onsemi
 mmjt350t1g.pdf pdf_icon

MMJT350T1G

MMJT350T1G, SMMJT350T1G Bipolar Power Transistors PNP Silicon Bipolar power transistors are designed for use in line-operated http //onsemi.com applications such as low power, line-operated series pass and switching regulators requiring PNP capability. 0.5 AMPERE Features POWER TRANSISTOR High Collector-Emitter Sustaining Voltage - PNP SILICON VCEO(sus) = 300 Vdc @ IC 300 VOL

 7.1. Size:184K  onsemi
 mmjt350.pdf pdf_icon

MMJT350T1G

MMJT350 Bipolar Power Transistors PNP Silicon Bipolar power transistors are designed for use in line-operated applications such as low power, line-operated series pass and switching regulators requiring PNP capability. www.onsemi.com Features 0.5 AMPERE High Collector-Emitter Sustaining Voltage POWER TRANSISTOR Excellent DC Current Gain PNP SILICON Epoxy Meets UL 94 V-0

Другие транзисторы... MMBTH10W , MMDT3904V , MMDT3906V , MMDT8050S , MMDT8150 , MMDTA06 , MMJD2955 , MMJD3055 , 9014 , MMS8050-H , MMS8050-L , MMS8550-H , MMS8550-L , MMS9012-H , MMS9012-L , MMS9013-H , MMS9013-L .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.