MX0912B100Y datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MX0912B100Y  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 290 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1215 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 7

Корпус транзистора: SOT-439A

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MX0912B100Y

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MX0912B100Y даташит

 ..1. Size:81K  philips
 mx0912b100y mz0912b100y.pdf pdf_icon

MX0912B100Y

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET MX0912B100Y; MZ0912B100Y NPN microwave power transistors 1997 Feb 20 Product specification Supersedes data of June 1992 Philips Semiconductors Product specification NPN microwave power transistors MX0912B100Y; MZ0912B100Y FEATURES PINNING Interdigitated structure provides high emitter efficiency PIN DESCRIPTION Diffused emitter ballasting

 ..2. Size:78K  philips
 mx0912b100y.pdf pdf_icon

MX0912B100Y

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET MX0912B100Y; MZ0912B100Y NPN microwave power transistors 1997 Feb 20 Product specification Supersedes data of June 1992 Philips Semiconductors Product specification NPN microwave power transistors MX0912B100Y; MZ0912B100Y FEATURES PINNING Interdigitated structure provides high emitter efficiency PIN DESCRIPTION Diffused emitter ballasting

 7.1. Size:77K  philips
 mx0912b251y 2.pdf pdf_icon

MX0912B100Y

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET MX0912B251Y NPN microwave power transistor 1997 Feb 19 Product specification Supersedes data of November 1994 Philips Semiconductors Product specification NPN microwave power transistor MX0912B251Y FEATURES PINNING - SOT439A Interdigitated structure; high emitter efficiency PIN DESCRIPTION Diffused emitter ballasting resistors providing ex

 7.2. Size:76K  philips
 mx0912b351y 2.pdf pdf_icon

MX0912B100Y

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET MX0912B351Y NPN microwave power transistor 1997 Feb 19 Product specification Supersedes data of November 1994 Philips Semiconductors Product specification NPN microwave power transistor MX0912B351Y FEATURES PINNING - SOT439A Interdigitated structure; high emitter efficiency PIN DESCRIPTION Diffused emitter ballasting resistors providing ex

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MMSS8550-H, MMSS8550-L, MMSS8550W-H, MMSS8550W-J, MMSS8550W-L, MMST2222A-G, MMT8050, MMT8550, 2SC828, P2N2222AG, DTC114WM, PBHV2160Z, PBHV3160Z, PBHV8115X, PBHV8118T, PBHV8540X, PBHV8560Z