Справочник транзисторов. BCR112W

 

Биполярный транзистор BCR112W Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BCR112W
   Маркировка: WFs
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: SOT-323
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BCR112W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:34K  siemens
bcr112w.pdfpdf_icon

BCR112W

BCR 112WNPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, inferface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=4.7k, R2=4.7k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 112W WFs Q62702-C2284 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-b

 ..2. Size:834K  infineon
bcr112w.pdfpdf_icon

BCR112W

BCR112...NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=4.7k, R2=4.7k) Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q101BCR112BCR112WC3R1R21 2B EEHA07184Type Marking Pin Configuration PackageBCR112 WFs 1=B 2=E 3=C - - - SOT23 BCR112W WFs 1=B 2=E 3=C - - - S

 8.1. Size:35K  siemens
bcr112.pdfpdf_icon

BCR112W

BCR 112NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, inferface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=4.7k, R2=4.7k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 112 WFs Q62702-C2254 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-base

 9.1. Size:34K  siemens
bcr119.pdfpdf_icon

BCR112W

BCR 119NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=4.7k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 119 WKs Q62702-C2255 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-base voltage VEB

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BD746 | BCM846S | BD946 | BCP52-16T1 | BD743B

 

 
Back to Top

 


 
.