Справочник транзисторов. KSR1214

 

Биполярный транзистор KSR1214 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KSR1214
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68
   Корпус транзистора: TO92S
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

KSR1214 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:19K  samsung
 ksr1214.pdf pdf_icon

KSR1214

KSR1214 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In)TO-92S Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1 =4.7 , R2=47 ) Complement to KSR2214ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 50 VCollector-Emitter Voltage VCEO 50 VEmitter-Base

 8.1. Size:35K  samsung
 ksr1210.pdf pdf_icon

KSR1214

KSR1210 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In)TO-92S Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=10 ) Complement to KSR2210ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitVCollector-Base Voltage VCBO 40VCollector-Emitter Voltage VCEO 40VEmitter-Base Volta

 8.2. Size:19K  samsung
 ksr1213.pdf pdf_icon

KSR1214

KSR1213 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In)TO-92S Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1 =2.2 , R2=47 ) Complement to KSR2213ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 50 VCollector-Emitter Voltage VCEO 50 VEmitter-Base

 8.3. Size:18K  samsung
 ksr1212.pdf pdf_icon

KSR1214

KSR1212 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In)TO-92S Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=47 ) Complement to KSR2212ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitVCollector-Base Voltage VCBO 40VCollector-Emitter Voltage VCEO 40VEmitter-Base Volta

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: MPQ4146 | TIP35F | TN2907R | SDM4017 | KT817G | BUX50SMD | IDA1306

 

 
Back to Top

 


 
.