MJ13001A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MJ13001A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MJ13001A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJ13001A даташит

 ..1. Size:33K  no
 mj13001a.pdf pdf_icon

MJ13001A

 8.1. Size:82K  njs
 mj13009.pdf pdf_icon

MJ13001A

 9.1. Size:207K  inchange semiconductor
 mj13070 mj13071.pdf pdf_icon

MJ13001A

isc Silicon NPN Power Transistors MJ13070/13071 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V(Min) MJ13070 CEO(SUS) = 450V(Min) MJ13071 High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high-voltage ,high-speed, power switching in inductive circuits where fall time is critical.

 9.2. Size:208K  inchange semiconductor
 mj13090 mj13091.pdf pdf_icon

MJ13001A

isc Silicon NPN Power Transistors MJ13090/13091 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V(Min) MJ13090 CEO(SUS) = 450V(Min) MJ13091 High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high-voltage ,high-speed, power switching in inductive circuits where fall time is critical.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD2901, 3DD5027, AV8050S, BFR360F, HLD133D, MP1620, MRF660, HSC2682, BD135, 2T665A9, 2T665B9, FW26025A1, 2SB817C, 2SD1047C, 2SC4714, 2SC6089, CE1A3Q