MJ13001A - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

MJ13001A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MJ13001A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для MJ13001A

 

MJ13001A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:33K  no
mj13001a.pdfpdf_icon

MJ13001A

 8.1. Size:82K  njs
mj13009.pdfpdf_icon

MJ13001A

 9.1. Size:207K  inchange semiconductor
mj13070 mj13071.pdfpdf_icon

MJ13001A

isc Silicon NPN Power Transistors MJ13070/13071 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V(Min) MJ13070 CEO(SUS) = 450V(Min) MJ13071 High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high-voltage ,high-speed, power switching in inductive circuits where fall time is critical.

 9.2. Size:208K  inchange semiconductor
mj13090 mj13091.pdfpdf_icon

MJ13001A

isc Silicon NPN Power Transistors MJ13090/13091 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V(Min) MJ13090 CEO(SUS) = 450V(Min) MJ13091 High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high-voltage ,high-speed, power switching in inductive circuits where fall time is critical.

Другие транзисторы... 3DD2901 , 3DD5027 , AV8050S , BFR360F , HLD133D , MP1620 , MRF660 , HSC2682 , BD135 , 2T665A9 , 2T665B9 , FW26025A1 , 2SB817C , 2SD1047C , 2SC4714 , 2SC6089 , CE1A3Q .

 

 
Back to Top

 


 
.