FW26025A1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FW26025A1  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 8 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 160 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 600 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для FW26025A1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FW26025A1 даташит

 ..1. Size:34K  st
 fw26025a1.pdf pdf_icon

FW26025A1

FW26025A1 PNP POWER DARLINGTON TRANSISTOR INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE APPLICATIONS LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL EQUIPMENT DESCRIPTION 1 The FW26025A1 is a silicon Epitaxial-Base PNP power transistor in monolithic Darlington 2 configuration mounted in Jedec TO-3 metal case. It is inteded for general purpose amplifier and low TO-3 frequency switching

 ..2. Size:213K  inchange semiconductor
 fw26025a1.pdf pdf_icon

FW26025A1

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor FW26025A1 DESCRIPTION High DC Current Gain- h = 5000(Min)@ I = -2A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -100V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for linear and switching industrial equipment ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMB

Другие транзисторы: BFR360F, HLD133D, MP1620, MRF660, HSC2682, MJ13001A, 2T665A9, 2T665B9, TIP31, 2SB817C, 2SD1047C, 2SC4714, 2SC6089, CE1A3Q, CHDTC114EKPT, 3DD5039, 3DD5040