Справочник транзисторов. 2SC6089

 

Биполярный транзистор 2SC6089 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC6089

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5

Корпус транзистора: TO3PMLH

Аналоги (замена) для 2SC6089

 

 

2SC6089 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc6089.pdf Size:51K _update_bjt

2SC6089
2SC6089

Ordering number : ENA0995 2SC6089 SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor Color TV Horizontal Deflection 2SC6089 Output Applications Features • High speed. • High breakdown voltage (VCBO=1500V). • Adoption of high reliability HVP process. • Adoption of MBIT process. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol C

1.2. 2sc6089.pdf Size:51K _sanyo

2SC6089
2SC6089

Ordering number : ENA0995 2SC6089 SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor Color TV Horizontal Deflection 2SC6089 Output Applications Features • High speed. • High breakdown voltage (VCBO=1500V). • Adoption of high reliability HVP process. • Adoption of MBIT process. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol C

 4.1. 2sc6087.pdf Size:209K _update

2SC6089
2SC6089

2SC6087 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6087 Power Amplifier Applications Unit: mm Power Switching Applications Low collector emitter saturation voltage : VCE (sat) = 0.5 V (max)(IC = 1A) High-speed switching: tstg = 0.4 μs (typ) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristic Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 160 V VCEX 160 V Colle

4.2. 2sc6082.pdf Size:52K _sanyo

2SC6089
2SC6089

Ordering number : ENA0279 2SC6082 SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 50V / 15A High-Speed Switching Ap- 2SC6082 plications Applications • High-speed switching applications (switching regulator, driver circuit). Features • Adoption of MBIT process. • Large current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • High-speed

 4.3. 2sc6082.pdf Size:179K _inchange_semiconductor

2SC6089
2SC6089

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC6082 DESCRIPTION ·Large current capacitance ·High speed switching ·Low saturation voltage ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·High speed switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collec

Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , SS8550 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .

 

 
Back to Top