Справочник транзисторов. 2SC6089

 

Биполярный транзистор 2SC6089 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC6089
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
   Корпус транзистора: TO3PMLH
 

 Аналог (замена) для 2SC6089

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC6089 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:51K  sanyo
2sc6089.pdfpdf_icon

2SC6089

Ordering number : ENA0995 2SC6089SANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Triple Diffused Planar Silicon TransistorColor TV Horizontal Deflection2SC6089Output ApplicationsFeatures High speed. High breakdown voltage (VCBO=1500V). Adoption of high reliability HVP process. Adoption of MBIT process.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol C

 8.1. Size:209K  toshiba
2sc6087.pdfpdf_icon

2SC6089

2SC6087 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6087 Power Amplifier Applications Unit: mmPower Switching Applications Low collector emitter saturation voltage : VCE (sat) = 0.5 V (max)IC = 1A High-speed switching: tstg = 0.4 s (typ) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristic Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 160 VVCEX 160 VColle

 8.2. Size:52K  sanyo
2sc6082.pdfpdf_icon

2SC6089

Ordering number : ENA0279 2SC6082SANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Epitaxial Planar Silicon Transistor50V / 15A High-Speed Switching Ap-2SC6082plicationsApplications High-speed switching applications (switching regulator, driver circuit).Features Adoption of MBIT process. Large current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed

 8.3. Size:236K  onsemi
2sc6082.pdfpdf_icon

2SC6089

Ordering number : ENA0279B2SC6082Bipolar Transistorhttp://onsemi.com( )50V, 15A, Low VCE sat NPN TO-220F-3SGApplications High-speed switching applications (switching regulator, driver circuit)Features Adoption of MBIT process Large current capacitance Low collector-to-emitter saturation voltage High-speed switchingSpecificationsAbsolute Maximum Ratin

Другие транзисторы... HSC2682 , MJ13001A , 2T665A9 , 2T665B9 , FW26025A1 , 2SB817C , 2SD1047C , 2SC4714 , 2SC2625 , CE1A3Q , CHDTC114EKPT , 3DD5039 , 3DD5040 , ASY34 , ASY35 , ASY36 , MT6L61AE .

History: DTC113EE | BDY15C | UN6217S | HN4C06J | BLW14 | BD246C | RCA9229

 

 
Back to Top

 


 
.