Справочник транзисторов. BUW12W

 

Биполярный транзистор BUW12W Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BUW12W
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO247 SOT429
 

 Аналог (замена) для BUW12W

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUW12W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:79K  philips
buw12w buw12aw 1.pdfpdf_icon

BUW12W

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBUW12W; BUW12AWSilicon diffused power transistorsProduct specification 1997 Aug 14Supersedes data of December 1991File under Discrete Semiconductors, SC06Philips Semiconductors Product specificationSilicon diffused power transistors BUW12W; BUW12AWDESCRIPTIONHigh-voltage, high-speed,glass-passivated NPN powertransistor in a SOT429 packag

 ..2. Size:79K  philips
buw12w buw12aw.pdfpdf_icon

BUW12W

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBUW12W; BUW12AWSilicon diffused power transistorsProduct specification 1997 Aug 14Supersedes data of December 1991File under Discrete Semiconductors, SC06Philips Semiconductors Product specificationSilicon diffused power transistors BUW12W; BUW12AWDESCRIPTIONHigh-voltage, high-speed,glass-passivated NPN powertransistor in a SOT429 packag

 ..3. Size:213K  inchange semiconductor
buw12w.pdfpdf_icon

BUW12W

isc Silicon NPN Power Transistor BUW12WDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V(Min.)CEO(SUS)Low Collector Saturation Voltage-: V = 1.5V(Max.)@I = 6ACE(sat) CHigh Speed SwitchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage, fast switching industrialapplications.ABSOL

 9.1. Size:81K  philips
buw12f 1.pdfpdf_icon

BUW12W

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBUW12F; BUW12AFSilicon diffused power transistors1997 Aug 14Product specificationSupersedes data of February 1996File under Discrete Semiconductors, SC06Philips Semiconductors Product specificationSilicon diffused power transistors BUW12F; BUW12AFDESCRIPTIONHigh-voltage, high-speed, ook, halfpageglass-passivated NPN powertransistor in

Другие транзисторы... BU2708AF , BU2708AX , BU406FI , BUT11AI , BUV48BFI , BUW11AW , BUW11W , BUW12AW , AC125 , BUX18A , BUX47AFI , KSD880W , KTC2200 , KTC2202 , KTD1945 , MJ10012T , MJE3055AT .

History: FCS9014A | 2SC2364 | BC335 | K2501 | NB313F | AM1214-200 | 2SD153

 

 
Back to Top

 


 
.