Справочник транзисторов. ST2001HI

 

Биполярный транзистор ST2001HI - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: ST2001HI

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 55 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5

Корпус транзистора: ISOWATT218

Аналоги (замена) для ST2001HI

 

 

ST2001HI Datasheet (PDF)

1.1. st2001hi.pdf Size:67K _1

ST2001HI
ST2001HI

ST2001HI  HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR NEW SERIES, ENHANCHED PERFORMANCE FULLY INSULATED PACKAGE FOR EASY MOUNTING HIGH VOLTAGE CAPABILITY HIGH SWITCHING SPEED TIGTHER hfe CONTROL IMPROVED RUGGEDNESS 3 2 APPLICATIONS: 1 HORIZONTAL DEFLECTION FOR COLOR TV AND MONITOR ISOWATT218 DESCRIPTION The ST2001HI is manufactured using Diffused Collector t

4.1. st2001.pdf Size:68K _st

ST2001HI
ST2001HI

ST2001HI  HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR NEW SERIES, ENHANCHED PERFORMANCE FULLY INSULATED PACKAGE FOR EASY MOUNTING HIGH VOLTAGE CAPABILITY HIGH SWITCHING SPEED TIGTHER hfe CONTROL IMPROVED RUGGEDNESS 3 2 APPLICATIONS: 1 HORIZONTAL DEFLECTION FOR COLOR TV AND MONITOR ISOWATT218 DESCRIPTION The ST2001HI is manufactured using collector diffused t

 5.1. st2009dhi.pdf Size:260K _st

ST2001HI
ST2001HI

ST2009DHI ® HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR NEW SERIES, ENHANCED PERFORMANCE FULLY INSULATED PACKAGE (U.L. COMPLIANT) FOR EASY MOUNTING INTEGRATED FREE WHEELING DIODE HIGH VOLTAGE CAPABILITY HIGH SWITCHING SPEED TIGTHER hfe CONTROL IMPROVED RUGGEDNESS 3 2 APPLICATIONS: 1 HORIZONTAL DEFLECTION FOR COLOR TVS ISOWATT218 DESCRIPTION The device is m

5.2. sst200 sst200a.pdf Size:67K _vishay

ST2001HI
ST2001HI

SST200/200A Vishay Siliconix N-Channel JFETs PRODUCT SUMMARY VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfS Min (mS) IDSS Min (mA) -0.3 to -0.9 -25 0.25 0.15 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Low Cutoff Voltage: <0.9 V D High Quality Low-Level Signal D Mini-Microphones Amplification D High Input Impedance D Hearing Aids D Low Signal Loss/System Error D Very Low Noise D High-Gain, Low-Noise Amplifi

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top