TIP35AB - описание и поиск аналогов

 

TIP35AB - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TIP35AB
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO-263

 Аналоги (замена) для TIP35AB

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TIP35AB - технические параметры

 ..1. Size:212K  inchange semiconductor
 tip35ab.pdf pdf_icon

TIP35AB

isc Silicon NPN Power Transistor TIP35AB DESCRIPTION DC Current Gain- h = 25(Min)@I = 1.5A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 60V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a

 8.1. Size:157K  motorola
 tip35are.pdf pdf_icon

TIP35AB

Order this document MOTOROLA by TIP35A/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN TIP35A Complementary Silicon TIP35B* High-Power Transistors . . . for general purpose power amplifier and switching applications. TIP35C* 25 A Collector Current PNP Low Leakage Current ICEO = 1.0 mA @ 30 and 60 V TIP36A Excellent DC Gain hFE = 40 Typ @ 15 A High Current Gain Bandw

 8.2. Size:260K  onsemi
 tip35a tip35b tip35c tip36a tip36b tip36c.pdf pdf_icon

TIP35AB

TIP35A, TIP35B, TIP35C (NPN); TIP36A, TIP36B, TIP36C (PNP) Complementary Silicon High-Power Transistors http //onsemi.com Designed for general-purpose power amplifier and switching applications. 25 AMPERE Features COMPLEMENTARY SILICON 25 A Collector Current POWER TRANSISTORS Low Leakage Current - 60-100 VOLTS, 125 WATTS ICEO = 1.0 mA @ 30 and 60 V Excellent DC Gain

 8.3. Size:222K  inchange semiconductor
 tip35af.pdf pdf_icon

TIP35AB

isc Silicon NPN Power Transistor TIP35AF DESCRIPTION DC Current Gain- h = 25(Min)@I = 1.5A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 60V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... KSA940TU , KSC2073TU , MJE15036 , MJE15037 , MJF13005 , QM5HG-24 , S2530A , TIP127B , 2222A , TIP35AT , TIP36AB , TIP36AT , UM8168L , SS8550-L , SS8550-H , SS8550-J , 2T837B .

 

 
Back to Top

 


 
.