TIP35AT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TIP35AT  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO-220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TIP35AT

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TIP35AT даташит

 ..1. Size:213K  inchange semiconductor
 tip35at.pdf pdf_icon

TIP35AT

isc Silicon NPN Power Transistor TIP35AT DESCRIPTION DC Current Gain- h = 25(Min)@I = 1.5A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 60V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a

 8.1. Size:157K  motorola
 tip35are.pdf pdf_icon

TIP35AT

Order this document MOTOROLA by TIP35A/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN TIP35A Complementary Silicon TIP35B* High-Power Transistors . . . for general purpose power amplifier and switching applications. TIP35C* 25 A Collector Current PNP Low Leakage Current ICEO = 1.0 mA @ 30 and 60 V TIP36A Excellent DC Gain hFE = 40 Typ @ 15 A High Current Gain Bandw

 8.2. Size:260K  onsemi
 tip35a tip35b tip35c tip36a tip36b tip36c.pdf pdf_icon

TIP35AT

TIP35A, TIP35B, TIP35C (NPN); TIP36A, TIP36B, TIP36C (PNP) Complementary Silicon High-Power Transistors http //onsemi.com Designed for general-purpose power amplifier and switching applications. 25 AMPERE Features COMPLEMENTARY SILICON 25 A Collector Current POWER TRANSISTORS Low Leakage Current - 60-100 VOLTS, 125 WATTS ICEO = 1.0 mA @ 30 and 60 V Excellent DC Gain

 8.3. Size:222K  inchange semiconductor
 tip35af.pdf pdf_icon

TIP35AT

isc Silicon NPN Power Transistor TIP35AF DESCRIPTION DC Current Gain- h = 25(Min)@I = 1.5A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 60V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KSC2073TU, MJE15036, MJE15037, MJF13005, QM5HG-24, S2530A, TIP127B, TIP35AB, 2SD2499, TIP36AB, TIP36AT, UM8168L, SS8550-L, SS8550-H, SS8550-J, 2T837B, 2T837V