Справочник транзисторов. TIP35AT

 

Биполярный транзистор TIP35AT Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: TIP35AT
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO-220
 

 Аналог (замена) для TIP35AT

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TIP35AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  inchange semiconductor
tip35at.pdfpdf_icon

TIP35AT

isc Silicon NPN Power Transistor TIP35ATDESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 25(Min)@I = 1.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 60V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose power amplifier andswitching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)a

 8.1. Size:157K  motorola
tip35are.pdfpdf_icon

TIP35AT

Order this documentMOTOROLAby TIP35A/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPNTIP35AComplementary SiliconTIP35B*High-Power Transistors. . . for generalpurpose power amplifier and switching applications.TIP35C* 25 A Collector CurrentPNP Low Leakage Current ICEO = 1.0 mA @ 30 and 60 VTIP36A Excellent DC Gain hFE = 40 Typ @ 15 A High Current Gain Bandw

 8.2. Size:260K  onsemi
tip35a tip35b tip35c tip36a tip36b tip36c.pdfpdf_icon

TIP35AT

TIP35A, TIP35B, TIP35C(NPN); TIP36A, TIP36B,TIP36C (PNP)Complementary SiliconHigh-Power Transistorshttp://onsemi.comDesigned for general-purpose power amplifier and switchingapplications.25 AMPEREFeaturesCOMPLEMENTARY SILICON 25 A Collector Current POWER TRANSISTORS Low Leakage Current - 60-100 VOLTS, 125 WATTSICEO = 1.0 mA @ 30 and 60 V Excellent DC Gain

 8.3. Size:222K  inchange semiconductor
tip35af.pdfpdf_icon

TIP35AT

isc Silicon NPN Power Transistor TIP35AFDESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 25(Min)@I = 1.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 60V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose power amplifier andswitching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)a

Другие транзисторы... KSC2073TU , MJE15036 , MJE15037 , MJF13005 , QM5HG-24 , S2530A , TIP127B , TIP35AB , 2SC2383Y , TIP36AB , TIP36AT , UM8168L , SS8550-L , SS8550-H , SS8550-J , 2T837B , 2T837V .

History: 2N2071 | 2N169

 

 
Back to Top

 


 
.