TIP36AB datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TIP36AB  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO-263

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TIP36AB

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TIP36AB даташит

 ..1. Size:215K  inchange semiconductor
 tip36ab.pdf pdf_icon

TIP36AB

isc Silicon PNP Power Transistor TIP36AB DESCRIPTION DC Current Gain- h = 25(Min)@I = -1.5A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -60V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a

 8.1. Size:260K  onsemi
 tip35a tip35b tip35c tip36a tip36b tip36c.pdf pdf_icon

TIP36AB

TIP35A, TIP35B, TIP35C (NPN); TIP36A, TIP36B, TIP36C (PNP) Complementary Silicon High-Power Transistors http //onsemi.com Designed for general-purpose power amplifier and switching applications. 25 AMPERE Features COMPLEMENTARY SILICON 25 A Collector Current POWER TRANSISTORS Low Leakage Current - 60-100 VOLTS, 125 WATTS ICEO = 1.0 mA @ 30 and 60 V Excellent DC Gain

 8.2. Size:141K  inchange semiconductor
 tip36 tip36a tip36b tip36c.pdf pdf_icon

TIP36AB

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors TIP36/36A/36B/36C DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type TIP35/35A/35B/35C DC current gain hFE=25(Min)@IC=-1.5A APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications. PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base

 8.3. Size:225K  inchange semiconductor
 tip36af.pdf pdf_icon

TIP36AB

isc Silicon PNP Power Transistor TIP36AF DESCRIPTION DC Current Gain- h = 25(Min)@I = -1.5A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -60V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MJE15036, MJE15037, MJF13005, QM5HG-24, S2530A, TIP127B, TIP35AB, TIP35AT, NJW0281G, TIP36AT, UM8168L, SS8550-L, SS8550-H, SS8550-J, 2T837B, 2T837V, 2T837G