UM8168L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UM8168L

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 330 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 22

Корпус транзистора: TO-3PN

 Аналоги (замена) для UM8168L

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UM8168L даташит

 ..1. Size:250K  inchange semiconductor
 um8168l.pdf pdf_icon

UM8168L

isc Silicon NPN Power Transistor UM8168L DESCRIPTION High Voltage V = 330V(Min) CBO Fast Switching Speed- t = 750ns(Max) f Low Saturation Voltage- V = 1.0V(Max)@ I = 5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection output stages of TV s and CRT s ABSOLUTE MAXIM

Другие транзисторы: MJF13005, QM5HG-24, S2530A, TIP127B, TIP35AB, TIP35AT, TIP36AB, TIP36AT, 2SD669A, SS8550-L, SS8550-H, SS8550-J, 2T837B, 2T837V, 2T837G, 2T837D, 2T837E