BFP740F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFP740F  📄📄 

Маркировка: R7*

Тип материала: SiGe

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.16 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 13 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 4 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.045 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 45000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.08 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: TSFP4-1

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BFP740F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFP740F даташит

 ..1. Size:1510K  infineon
 bfp740f.pdf pdf_icon

BFP740F

BFP740F Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor Data Sheet Revision 2.0, 2015-03-12 RF & Protection Devices Edition 2015-03-12 Published by Infineon Technologies AG 81726 Munich, Germany 2015 Infineon Technologies AG All Rights Reserved. Legal Disclaimer The information given in this document shall in no event be regarded as a guarantee of conditions or characteristi

 0.1. Size:627K  infineon
 bfp740fesd.pdf pdf_icon

BFP740F

BFP740FESD SiGe C NPN RF bipolar transistor Product description The BFP740FESD is a wideband NPN RF heterojunction bipolar transistor (HBT) with an integrated ESD protection. Feature list Unique combination of high end RF performance and robustness 21 dBm maximum RF input power, 2 kV ESD robustness (HBM) due to integrated protection circuits NFmin = 0.6 dB at 2.4 GHz and 0.8 dB

 8.1. Size:658K  infineon
 bfp740.pdf pdf_icon

BFP740F

BFP740 SiGe C NPN RF bipolar transistor Product description The BFP740 is a wideband NPN RF heterojunction bipolar transistor (HBT). Feature list Low noise figure NFmin = 0.85 dB at 5.5 GHz, 3 V, 6 mA High gain Gms = 19.5 dB at 5.5 GHz, 3 V, 15 mA OIP3 = 24.5 dBm at 5.5 GHz, 3 V, 15 mA Product validation Qualified for industrial applications according to the relevant tests

 8.2. Size:519K  infineon
 bfp740esd.pdf pdf_icon

BFP740F

BFP740ESD SiGe C NPN RF bipolar transistor Product description The BFP740ESD is a wideband NPN RF heterojunction bipolar transistor (HBT) with an integrated ESD protection. Feature list Unique combination of high end RF performance and robustness 21 dBm maximum RF input power, 2 kV ESD robustness (HBM) due to integrated protection circuits NFmin = 0.65 dB at 2.4 GHz and 0.9 dB

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BFP640ESD, BFP650, BFP650F, BFP720, BFP720ESD, BFP720F, BFP720FESD, BFP740ESD, BD223, BFP740FESD, BFP760, BFP780, BFP840ESD, BFP840FESD, BFP842ESD, BFP843, BFP843F